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首頁(yè) 高利奇晶振

GVXO-753F/VC 27.0MHZ,音量應(yīng)用晶振,Golledge振蕩器,GVXO-753F晶振,VCXO壓控晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

GVXO-753F/VC 27.0MHZ,音量應(yīng)用晶振,Golledge振蕩器,GVXO-753F晶振,VCXO壓控晶振  作為 VCXO 壓控晶振,GVXO - 753F/VC 擁有獨(dú)特的壓控特性。通過外部電壓的調(diào)節(jié),可以靈活改變晶振的輸出頻率。在音量應(yīng)用場(chǎng)景中,這一特性具有重要意義。例如,在音頻均衡調(diào)節(jié)、音量動(dòng)態(tài)范圍控制等方面,可根據(jù)不同的音頻信號(hào)特點(diǎn)和用戶需求,實(shí)時(shí)調(diào)整晶振頻率,進(jìn)而優(yōu)化音頻處理效果,實(shí)現(xiàn)更加細(xì)膩、精準(zhǔn)的音量調(diào)節(jié)和音質(zhì)優(yōu)化。

產(chǎn)品詳情

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yijin-1GVXO-753F/VC 27.0MHZ,音量應(yīng)用晶振,Golledge振蕩器,GVXO-753F晶振,VCXO壓控晶振

Golledge晶振作為知名的振蕩器制造商,以其精湛的工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量把控,賦予了 GVXO - 753F/VC 晶振卓越的品質(zhì)與可靠性。該石英晶振經(jīng)過了嚴(yán)格的性能測(cè)試和穩(wěn)定性驗(yàn)證,能夠在不同的工作環(huán)境和條件下保持穩(wěn)定的性能。無論是面對(duì)高溫、低溫、潮濕等惡劣環(huán)境,還是在復(fù)雜的電磁干擾環(huán)境中,它都能持續(xù)穩(wěn)定地工作,為音量應(yīng)用設(shè)備的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行提供有力保障。
作為 VCXO 壓控晶振,GVXO - 753F/VC 擁有獨(dú)特的壓控特性。通過外部電壓的調(diào)節(jié),可以靈活改變晶振的輸出頻率。在音量應(yīng)用場(chǎng)景中,這一特性具有重要意義。例如,在音頻均衡調(diào)節(jié)、音量動(dòng)態(tài)范圍控制等方面,可根據(jù)不同的音頻信號(hào)特點(diǎn)和用戶需求,實(shí)時(shí)調(diào)整晶振頻率,進(jìn)而優(yōu)化音頻處理效果,實(shí)現(xiàn)更加細(xì)膩、精準(zhǔn)的音量調(diào)節(jié)和音質(zhì)優(yōu)化。
yijin-2GVXO-753F/VC 27.0MHZ,音量應(yīng)用晶振,Golledge振蕩器,GVXO-753F晶振,VCXO壓控晶振

頻率范圍 1.50 ~ 54.0兆赫
尺寸 7050貼片晶振
6 個(gè)焊盤,2.54mm 間距
電壓控制 +1.65V ±1.50V,10% 線性度
儲(chǔ)存溫度范圍 -40 至 +85°C
電源電壓 (VDD 系列) +3.3V (±10%)
電源電流 最大 10mA (1.5 ~ 20.0MHz)
最大 15mA (>20.0 ~ 30.0MHz)
最大 20mA (>30.0 ~ 40.0MHz)
最大 25mA (>40.0MHz)
駕駛能力 15pF CMOS
邏輯電平 “0”電平 = 10%VDD 系列最大
“1”電平 = 90%VDD 系列分鐘
波形對(duì)稱性 最大 45:55
上升/下降時(shí)間 (10%~90%VDD 系列) 最大 10ns (1.5 ~ 10.0MHz)
最大 6ns (>10.0MHz)
啟用/禁用功能 三態(tài)(通過焊盤 2 控制)
相位噪聲 (typ) -130dBc/Hz(典型值)@ 1kHz
凈質(zhì)量 150 毫克


GVXO-753F ggs

yijin-3GVXO-753F/VC 27.0MHZ,音量應(yīng)用晶振,Golledge振蕩器,GVXO-753F晶振,VCXO壓控晶振

GVXO-753F 7050 VCXO


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GVXO-753F/VC 27.0MHZ,音量應(yīng)用晶振,Golledge振蕩器,GVXO-753F晶振,VCXO壓控晶振

在使用有源晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

石英晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請(qǐng)閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.

1.電源旁路電容

使用本產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能).

2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器

(1)安裝電路板后溫度快速變化

當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)陶瓷有晶體時(shí)鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會(huì)破裂,如果受到影響長(zhǎng)時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過

(2)通過自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊

當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時(shí)會(huì)發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會(huì)改變或惡化.

(3)板彎曲應(yīng)力

將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.

3.抗跌落沖擊力

本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊(最多三次).但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測(cè)量產(chǎn)品的性能或您要求我們?cè)俅螠y(cè)量它.

4.靜電

本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個(gè)環(huán)境中處理產(chǎn)品對(duì)抗靜電的措施拍攝.

5.耐高溫

關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時(shí)在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時(shí),產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).

6. EMI

當(dāng)您考慮EMI時(shí),低電源電壓建議使用(例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V).此外,請(qǐng)事先咨詢我們有關(guān)的組合針對(duì)上述EMI的兩種對(duì)策.

7.超聲波清洗

當(dāng)進(jìn)行本目錄中超薄小有源貼片晶振的超聲波清潔時(shí)根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會(huì)發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請(qǐng)務(wù)必檢查條件.

8.請(qǐng)將水晶時(shí)鐘振蕩器用于特殊用途時(shí)歡迎與我們聯(lián)系.

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