TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器 GTXO-566T/M-20MHz是高利奇推出的一款 TCXO 溫補(bǔ)晶振,屬于有源晶振.它能輸出精準(zhǔn)的 20MHz 頻率，借助先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)，可有效應(yīng)對(duì)環(huán)境溫度變化，保證頻率的高度穩(wěn)定。低功耗設(shè)計(jì)使其在運(yùn)行過(guò)程中能耗更低，既能延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航，又能減少發(fā)熱。適用于通信基站、衛(wèi)星導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)終端等多種對(duì)頻率穩(wěn)定性和功耗有嚴(yán)格要求的電子設(shè)備，是提升設(shè)備性能的可靠選擇。

產(chǎn)品詳情

yijin-1 TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

在對(duì)時(shí)鐘精度和穩(wěn)定性要求極高的電子設(shè)備領(lǐng)域，高利奇晶振的 GTXO - 566T/M - 20MHz 溫補(bǔ)晶振（TCXO）展現(xiàn)出卓越的性能。作為一款有源晶振，它自帶起振電路，能穩(wěn)定輸出精準(zhǔn)的 20MHz 頻率信號(hào)。
其核心優(yōu)勢(shì)在于采用了先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)。電子設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中，環(huán)境溫度的變化會(huì)對(duì)晶振頻率產(chǎn)生影響，而這款溫補(bǔ)晶振能夠?qū)崟r(shí)感知溫度變化，并迅速調(diào)整輸出頻率，確保頻率的高度穩(wěn)定。
同時(shí)，低功耗是它的另一大亮點(diǎn)。在如今追求節(jié)能環(huán)保的時(shí)代，低功耗設(shè)計(jì)不僅能延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間，還能減少發(fā)熱，提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。無(wú)論是在通信基站、衛(wèi)星導(dǎo)航設(shè)備，還是物聯(lián)網(wǎng)終端等對(duì)功耗和頻率穩(wěn)定性要求苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景中，GTXO-566T振蕩器都能憑借其出色的性能，為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供有力保障。

yijin-2 TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

頻率范圍	9.60 ~ 50.0兆赫
尺寸	11.8 x 9.9 x 2.0 毫米
包裝樣式	6 個(gè)墊子，帶微調(diào)附件
儲(chǔ)存溫度范圍	-40 至 +85°C
頻率與電源電壓	±0.3 ppm （<22.0MHz）
	±0.5 ppm （<28.0MHz）
	±1.0 ppm （<50.0MHz）
頻率與負(fù)載變化	±0.3ppm （10kΩ±10%//10pF±10%）
陳釀（第一年）	±1.0 頁(yè)/分鐘（<22.0 MHz）
	±1.5 頁(yè)/分鐘（<28.0 MHz）
	±2.0 頁(yè)/分鐘（<50.0 MHz）
電源電流	最大 2.0mA （<22.0MHz）
	最大 3.0mA （<28.0MHz）
	最大 4.0mA （<50.0MHz）
輸出波形	削波正弦波，0.8V p-p（典型值）
測(cè)試負(fù)載	10kΩ // 10pF
頻率調(diào)整	±3ppm min，通過(guò)內(nèi)部微調(diào)器
預(yù)設(shè)頻率	±0.5 頁(yè)/分鐘 / +25°C ±2°C
凈質(zhì)量	453 毫克

yijin-3 TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

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TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。