LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器 LV3344JEV-100.0MDK 是 Pletronics 推出的 LVDS 差分貼片晶振，主要用于以太網(wǎng)應(yīng)用。它能輸出精準(zhǔn)的 100.0MHz 頻率，為以太網(wǎng)設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。LVDS 差分信號(hào)傳輸方式使其具備出色的抗干擾能力，可有效抑制共模干擾，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。貼片封裝便于安裝和集成。廣泛應(yīng)用于以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，有助于提升網(wǎng)絡(luò)通信的性能和可靠性，是以太網(wǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)高速穩(wěn)定通信的理想選擇。

產(chǎn)品詳情

yijin-1 LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器

在以太網(wǎng)通信領(lǐng)域，Pletronics有源晶振的 LV3344JEV-100.0MDK 晶振扮演著至關(guān)重要的角色。它是一款 LVDS（低壓差分信號(hào)）差分晶振，采用貼片式封裝，這種小巧的設(shè)計(jì)符合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)，能輕松適配各類(lèi)緊湊的電路板。LVDS 差分信號(hào)傳輸方式賦予了該進(jìn)口石英晶振強(qiáng)大的抗干擾能力。在復(fù)雜的電磁環(huán)境中，差分信號(hào)可以有效抑制共模干擾，保證信號(hào)的純凈度和穩(wěn)定性。其精準(zhǔn)輸出 100.0MHz 的頻率，為以太網(wǎng)設(shè)備提供了穩(wěn)定且高速的時(shí)鐘信號(hào)，確保數(shù)據(jù)能夠快速、準(zhǔn)確地在網(wǎng)絡(luò)中傳輸。無(wú)論是企業(yè)級(jí)的以太網(wǎng)交換機(jī)，還是家庭網(wǎng)絡(luò)中的路由器，LV33J石英晶體振蕩器都能憑借其卓越的性能，保障網(wǎng)絡(luò)設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，減少數(shù)據(jù)丟包和傳輸延遲，提升網(wǎng)絡(luò)通信的質(zhì)量和效率。

yijin-2 LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器

Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Frequency Range2(Fo)	100	-	320	MHz
Frequency Stability2 ± 20 =20*, ± 25 =44, ± 50 =45	±20	-	±50	ppm
Operating Temperature Range2	-10 -20 -40 -40 -40	-	+70 +70 +85 +105 +125	°C
Supply Voltage1, 2(VCC)	2.97	3.3	3.63	V
Supply Current (ICC)	-	-	35	mA
Output Type	LVDS差分晶振
Differential Output Voltage (VOD)	247	-	454	mV
Output Offset Voltage (VOS)	1.125	1.25	1.375	V
Differential Output Error (ΔVOD)	-	-	50	mV
Output Amplitude (VOPP)	494	-	-	mV
Output TRISEand TFALL	-	-	0.4	ns
Startup Time	-	-	5	ms
Duty Cycle	45	-	55	%
VDISABLE(VIL)	-	-	30	%Vcc
VENABLE(VIH)	70	-	-	%Vcc
Enable Time	-	-	5	ms
Disable Time	-	-	200	ns
Enable/Disable Internal Pull-up	30	70	150	Kohm
Output Leakage VOUT= VCC VOUT= 0V	- -10	-	+10 -	µA
Standby Current	-	-	30	µA
rms Phase Jitter	-	0.05	0.1	ps
Phase Noise 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 10 MHz 20 MHz	-	-134 -152 -159 -162 -164 -164	-	dBc/Hz
Storage Temperature Range	-55	-	+125	°C

yijin-3 LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器

yijin-4

LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器
所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。