電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

產(chǎn)品簡介

電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器 GTXO - 14T/DL - 10MHz 是 Golledge 為電信應(yīng)用量身定制的有源晶振，屬于溫度補(bǔ)償振蕩器。它能輸出精準(zhǔn)的 10MHz 頻率，通過先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)，有效減少溫度變化導(dǎo)致的頻率漂移，確保在復(fù)雜環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。有源設(shè)計(jì)簡化了電路，提高了可靠性。廣泛應(yīng)用于基站、核心網(wǎng)等電信設(shè)備，為電信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效通信提供關(guān)鍵的時(shí)鐘信號(hào)支持。

產(chǎn)品詳情

yijin-1 電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

在電信領(lǐng)域，精準(zhǔn)穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)是保障通信網(wǎng)絡(luò)高效運(yùn)行的基石，Golledge 的 GTXO - 14T/DL - 10MHz 有源晶振正是這樣一款至關(guān)重要的產(chǎn)品。作為溫補(bǔ)晶振，它能敏銳感知環(huán)境溫度變化，并迅速做出調(diào)整，確保輸出的 10MHz 頻率始終精準(zhǔn)穩(wěn)定。
電信網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜多變，溫度波動(dòng)、電磁干擾等因素都可能影響信號(hào)傳輸。GTXO - 14T 石英晶體振蕩器憑借先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)，有效抵御溫度對(duì)頻率的影響，大大減少了頻率漂移。其有源設(shè)計(jì)無需額外復(fù)雜的電路支持，就能穩(wěn)定輸出高質(zhì)量的時(shí)鐘信號(hào)，為電信設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力保障。
無論是在基站設(shè)備中保障信號(hào)的精準(zhǔn)收發(fā)，還是在核心網(wǎng)設(shè)備里維持?jǐn)?shù)據(jù)的高速處理，Golledge晶振的GTXO - 14T 都能以其卓越的性能，確保電信系統(tǒng)的可靠運(yùn)行，助力構(gòu)建穩(wěn)定、高效的通信網(wǎng)絡(luò)。

yijin-2 電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

頻率范圍	6.40 ~ 100兆赫
尺寸	20.8 x 13.2 x 7.9 毫米
頻率校準(zhǔn)	±1.0 ppm （@ +25°C）
頻率穩(wěn)定性	±4.6 ppm
保持穩(wěn)定性（僅限選項(xiàng) D）	±24 小時(shí)內(nèi)最大 0.32 ppm
溫度滯后	±0.4ppm 以下
儲(chǔ)存溫度范圍	-55 至 +125°C
頻率與電源電壓	±50ppb，VDD 系列±5%
頻率與負(fù)載變化	±50ppb，ZL±5%
老化	±3.0ppm 最大 20 年
短期老化（僅限選項(xiàng) D）	每天 ±40ppb，±4.63x10-13每秒
電源電流	1.3mA 典型值，最大 2.9mA （≤52.0MHz）
電源電流	最大 12.0mA （>52.0MHz）
輸出波形	削峰正弦波晶振，1.0V p-p （≤40MHz）
輸出波形	削波正弦波，0.8V p-p （>40MHz）
試驗(yàn)載荷（ZL)	10kΩ // 10pF
啟動(dòng)時(shí)間	最大 1.0ms
相位噪聲（典型值 @ 19.44MHz）	-90dBc/Hz @ 10Hz
	-120dBc/Hz @ 100Hz
	-140dBc/Hz @ 1kHz
	-150dBc/Hz @ 10kHz
	-152dBc/Hz @ 100kHz
周期抖動(dòng) RMS	3ps（典型值），5ps（最大值）
相位抖動(dòng) RMS	0.5ps typ，最大 1.0ps，12kHz~fo/2

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所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。