IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時(shí)、存儲(chǔ)接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無(wú)線(xiàn)電源及智能傳感器方面的市場(chǎng)導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域混合信號(hào)完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售場(chǎng)所和經(jīng)銷(xiāo)合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
IDT晶振集團(tuán)開(kāi)發(fā)了能夠與處理器,存儲(chǔ)器等數(shù)字系統(tǒng),其他半導(dǎo)體以及物理世界連接的半導(dǎo)體解決方案.IDT認(rèn)為作為一名行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者努力解決我們環(huán)境所面臨的挑戰(zhàn)以及社會(huì)需求是我們義不容辭的責(zé)任.IDT晶振作為較為出色的國(guó)際企業(yè),致力于研發(fā)生產(chǎn)銷(xiāo)售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等水晶元件.不斷提高生產(chǎn)技術(shù)以及開(kāi)發(fā)更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被全球的通信、計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)業(yè)廣泛采用,在全球各地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)以及運(yùn)營(yíng)銷(xiāo)售基地.
IDT晶振,有源晶振,XLH晶振,5032晶振,XLH53V100.000000I晶振貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
條件 |
|
輸出頻率范圍 |
f0 |
0.750M~250MHZ |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |

在使用IDT晶振時(shí)應(yīng)該注意以下事項(xiàng):
晶振在使用過(guò)程中需要注意哪些事項(xiàng),晶振產(chǎn)品在使用過(guò)程中產(chǎn)生不良都有那些原因照成的,如果石英晶振產(chǎn)生了不良我們又該怎么處理,怎么去預(yù)防在以后的生產(chǎn)過(guò)程中確保品質(zhì)不在出問(wèn)題.IDT晶振,有源晶振,XLH晶振,5032晶振,XLH53V100.000000I晶振
大家都知道晶振其實(shí)分為很多的類(lèi)別,比如陶瓷諧振器,以及石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,那么石英晶體振蕩器又稱(chēng)呼為有源晶振,何為有源晶振?
有源的意思就是帶有電壓功能,是只產(chǎn)品在使用過(guò)程中首先需要通過(guò)電壓起振,一般有源晶振的電壓在3.3V-5V之間.其實(shí)有源晶振在細(xì)分的情況下又能分成壓控振蕩器(VCXO)以及溫補(bǔ)晶振(TCXO)這兩者又可以合并為壓控溫補(bǔ)晶振(VC-TCXO),壓控晶振的原理簡(jiǎn)單的說(shuō)就是產(chǎn)品在工作過(guò)程中有一個(gè)電壓穩(wěn)定控制功能,當(dāng)石英晶振在使用過(guò)程中遇到電壓變大或者變小的情況下,產(chǎn)品可以在自帶電壓功能的情況下把電壓控制在可接受范圍,以及控制振蕩器的PPM精度,不超出在需要的頻率內(nèi),使其能夠穩(wěn)定的給CPU提供精準(zhǔn)信號(hào),這就是SMD壓控振蕩器的主要特點(diǎn).那么溫補(bǔ)晶振(TCXO)又有什么特點(diǎn),溫補(bǔ)晶振簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)就是在工作過(guò)程中起到溫度補(bǔ)償功能,那怎么個(gè)溫度補(bǔ)償法呢?
其實(shí)原理跟壓控振蕩器一樣,比如說(shuō)溫補(bǔ)晶振電壓有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等幾款常用電壓.溫補(bǔ)晶振在工作過(guò)程中如果遇到了溫度變化很大的情況下,那這個(gè)時(shí)候溫度補(bǔ)償就起作用了,比如說(shuō)溫補(bǔ)晶振的基本精度要求是0.5PPM,常溫要求是2ppm,那如果低溫超出的常溫的情況下,晶體的溫補(bǔ)功能就會(huì)把精度控制在一定的范圍內(nèi),使精度變化在一個(gè)要求值的范圍,穩(wěn)定在高精度要求內(nèi)給CPU提供穩(wěn)定的信號(hào).