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首頁 PletronicsCrystal晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒

產(chǎn)品詳情

PLE-1

Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗(yàn).所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設(shè)計(jì)創(chuàng)新,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)有優(yōu)勢(shì),訂貨交期時(shí)間短在業(yè)界具有較好的聲譽(yù).

Pletronics晶振公司關(guān)注用戶需求,不斷研發(fā)新品,改善現(xiàn)有產(chǎn)品.能夠滿足不同客戶對(duì)于石英晶振, 貼片晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器等頻率控制元件的需求提供一個(gè)完整的解決方案.

Pletronics晶振集團(tuán)保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對(duì)話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,晶體振蕩器,有源晶振產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).

yijin-1

Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場(chǎng)需求,實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性.

美國Pletronics晶振貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.

yijin-2

Pletronics晶振型號(hào)

符號(hào)

HC77D晶振

輸出規(guī)格

-

LVDS

輸出頻率范圍

fo

13~170MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6max., ±100×10-6max.

保存溫度范圍

T_stg

-40+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10+70 ,-40+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對(duì)稱

SYM

4555% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-更所晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn

1電平電壓

VOH

-

上升時(shí)間 下降時(shí)間

tr, tf

0.4ns max. [2080% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.2470.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補(bǔ)償電壓

VOS

1.1251.375V

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz)
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

Pletronics晶振型號(hào)

符號(hào)

LV44F晶振

輸出規(guī)格

-

LVDS

輸出頻率范圍

fo

13~170MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6max., ±100×10-6max.

保存溫度范圍

T_stg

-40+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10+70 ,-40+85

消耗電流

ICC

20mA max.

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形對(duì)稱

SYM

4555% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-更多晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn

1電平電壓

VOH

-

上升時(shí)間 下降時(shí)間

tr, tf

0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

0.2470.454V

差分輸出誤差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

補(bǔ)償電壓

VOS

1.1251.375V

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

50mV

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

-

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz)
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

yijin-3

lv44j 3.3v 3225 LVDS

yijin-4

在使用Pletronics晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型

晶振焊接條件

插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下
比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶振引腳插件

手工焊接+300°C或低于3秒鐘
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C

SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°

+260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.

wdbhqxt

盡可能使溫度變化曲線保持平滑:

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