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首頁 TXC晶振

臺灣晶技晶振,有源晶振,7X晶振,7X-19.200MBA-T晶振

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產(chǎn)品簡介

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

產(chǎn)品詳情

TXC-1

臺灣晶技TXC晶振公司是一家領(lǐng)先的專業(yè)頻率控制,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體諧振器,石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產(chǎn)品制造商致力于研究,設(shè)計,制造和銷售雙列直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體和振蕩器產(chǎn)品.

臺灣晶技TXC晶振公司目前專業(yè)從事這些類別的產(chǎn)品:晶體(32.768kHz,基本兆赫,高精度的兆赫,汽車級)

Oscillators32.768kHz,CMOSMEMS,差分輸出,看到汽車級),壓控晶體振蕩器(CMOS差分輸出),TCXO(基礎(chǔ)、GPS、精密),壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等.

環(huán)保理念:

臺灣TXC晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則.

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臺灣晶技晶振,有源晶振,7X晶振,7X-19.200MBA-T晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PCLCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

yijin-2

項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

1M~125MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

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TXC 7X 3225 CMOS

yijin-4在使用TXC晶振時應(yīng)注意

運(yùn)行條件

①電源電壓和極性

晶體振蕩器應(yīng)在規(guī)定的電源電壓和電壓范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表中給出的公差.電源電壓以外的操作規(guī)范可能導(dǎo)致晶體振蕩器的間歇或完全失效.

極性反接可能會導(dǎo)致設(shè)備電氣不可逆損壞(死機(jī))和/或機(jī)械地(燃燒).因此,請在確認(rèn)正確的電壓極性之前給有源晶體振蕩器設(shè)備加電.

②電源電壓限制

在任何情況下,請向有源晶體振蕩器施加電源電壓電平超過絕對最大值,通常最大為7VDC.對于大多數(shù)(HCMOSIC.另請注意,電源電壓低于額定電壓的70~80%可能會導(dǎo)致電壓下降振蕩器運(yùn)行不穩(wěn)定.

為獲得最佳性能和穩(wěn)定性,振蕩器可由單獨(dú)穩(wěn)定的電源供電電壓軌,以避免數(shù)字中通常存在的電源電壓噪聲干擾電路.

③石英晶體振蕩器啟動

晶體振蕩器由晶體空白和半導(dǎo)體芯片組成,它集成了一個晶體驅(qū)動電路和時鐘輸出驅(qū)動級.半導(dǎo)體芯片本身沒有包含復(fù)雜的復(fù)位邏輯或電源電壓監(jiān)控電路,用于控制振蕩器輸出信號.臺灣晶技晶振,有源晶振,7X晶振,7X-19.200MBA-T晶振

為獲得最佳系統(tǒng)穩(wěn)定性,我們建議使用外部電源電壓監(jiān)控在電源電壓充足之前,防止后續(xù)電路開始工作的電路上電,振蕩器輸出頻率完全穩(wěn)定.請參考振蕩器啟動時間,在我們的振蕩器數(shù)據(jù)表中定義.

④旁路電容器

請注意,由于SMD振蕩器尺寸較小,因此沒有旁路電容內(nèi)置.我們強(qiáng)烈建議在附近放置一個~0.01μF的外部旁路電容VDC端子/焊盤與GND端子/焊盤的低阻抗連接.旁路電容器能夠在輸出信號轉(zhuǎn)換時緩沖石英晶體振蕩器的動態(tài)電源電流,它還可以幫助減少通過電源電壓軌的RF傳輸.

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