日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO晶振)、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.
日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國(guó)內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國(guó)、英國(guó)、德國(guó),到中國(guó),新加坡,泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理,努力創(chuàng)造利潤(rùn),履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.
日本株式會(huì)社大真空KDS晶振三種信賴行為守則:
可靠的人以獨(dú)立、自助、自足的努力作為基本的行動(dòng)原則,我們將充分利用我們的優(yōu)勢(shì),為社會(huì)整體和接近一切真誠(chéng)和熱情.
可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,,我們將幫助實(shí)現(xiàn)一個(gè)富裕的社會(huì),通過優(yōu)化我們的能力,開發(fā)最好的產(chǎn)品和服務(wù),并提供給我們所有的客戶在世界各地.
可靠的公司,我們努力履行我們的企業(yè)社會(huì)責(zé)任,通過持續(xù)的利潤(rùn),通過企業(yè)活動(dòng),遵守所有的法律法規(guī),尊重他們的精神,注重與全球環(huán)境的和諧.
1我們對(duì)公司的管理政策、管理原則和管理措施有正確的認(rèn)識(shí),并本著公司和全社會(huì)的利益,不關(guān)心個(gè)人的利益和成本.
2我們將從觀念到問題的解決,而不受制于陳規(guī)或慣例.
3我們會(huì)不時(shí)與有關(guān)人士進(jìn)行討論,如有需要,以方便談判的調(diào)整,并將建立良好的關(guān)系,試圖解決任何問題的誠(chéng)意.
4我們將通過理解對(duì)方的立場(chǎng),繼續(xù)說(shuō)服對(duì)方,以便處理石英晶振,貼片晶振,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,任何疑難問題.
5KDS晶振將始終有一個(gè)環(huán)境兼容性和執(zhí)行環(huán)境兼容的活動(dòng)作為我們的主要主題之一.
6我們將在每一種情況下充滿信心地工作并有精神完成工作.
7我們將努力建立這樣的性格和個(gè)人磁性被接受和信任周圍的每一個(gè)人.
8我們要努力建立良好的人際關(guān)系,有時(shí)要勇于接受別人的脆弱.
9我們將遵守法律法規(guī)以及任何規(guī)則,包括KDS晶振各種規(guī)章制度和既定的社會(huì)規(guī)范,并確保信息的安全性認(rèn)識(shí)到信息的重要性.
10我們將始終采取一個(gè)明智的行動(dòng)作為社會(huì)成員.
日本大真空晶體,壓控溫補(bǔ)晶振,DSA322MB晶振,DSA322MA晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):KDS貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
KDS晶振型號(hào) |
DSA322MB晶振 | |
輸出頻率范圍 |
9.6M~40MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz |
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電源電壓范圍 |
+2.3V~+3.5V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-獲取等多晶振參數(shù)信息請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.(VCC±5%) |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
KDS晶振型號(hào) |
DSA322MA晶振 | |
輸出頻率范圍 |
9.6~38.4MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz |
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電源電壓范圍 |
+2.8~+3.0V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多晶振參數(shù)信息請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.(VCC±5%) |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
DSA3225MB晶振尺寸圖
DSA322MA晶振尺寸圖
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在使用日本大真空晶體時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題:
一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.日本大真空晶體,壓控溫補(bǔ)晶振,DSA322MB晶振,DSA322MA晶振
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是KDS晶振,KDS貼片晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說(shuō)明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測(cè)量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他KDS晶振具有較低負(fù)載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.