日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).
愛普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.
精工愛普生晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
愛普生晶振,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
愛普生壓控晶振型號(hào)
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愛普生晶振型號(hào) |
外部尺寸 |
輸出 |
頻率范圍 |
電源電壓 |
頻率溫度特征/ |
絕對(duì)頻率控制范圍 |
壓控電壓 |
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新 |
7.0x5.0X1.6 |
CMOS |
85至170 |
3.3 |
+/-50/-40至+85 |
+/-50 |
1.65+/-1.65 |
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VG2520CAN |
2.5x2.0x0.7 |
CMOS |
30.72 |
3.3 |
+/-50/-40到85 |
+/-50 |
1.65+/-1.65 |
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VG7050CAN |
7.0x5.0x1.4 |
CMOS |
30.72 |
3.3 |
+/-50/-40到85 |
+/-50 |
1.65+/-1.65 |
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VG-4231CE |
3.2x2.5x1.05 |
CMOS |
3到60 |
3.3/2.8/1.8 |
+/-30/-20至+70（3.3V）
+/-37/-40至+85（3.3V） |
+/-100（+/-30/-20至+70/3.3V） |
1.65+/-1.65 |
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VG-4231CB |
5.0x3.2x1.2 |
CMOS |
1至81 |
3.3 |
+/50/-40至+85
+/-50/-20至+70 |
+/-50 |
1.65+/-1.5 |
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VG-4231CA |
7.0x5.0x1.4 |
CMOS |
1至60 |
5.0/3.3 |
+/-50/-40至85（5V） |
+/-65（+/-50/-40至+85/5.0V） |
2.5+/-2 |
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愛普生晶振型號(hào) |
VG-4231CB晶振 |
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輸出頻率范圍 |
1~80MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-30?+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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愛普生晶振編碼
| X1G0028610002 | VG-4231CB | 54.000000 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610003 | VG-4231CB | 57.272727 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610004 | VG-4231CB | 56.750000 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610005 | VG-4231CB | 57.000000 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610007 | VG-4231CB | 27.000000 MHz | GGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610008 | VG-4231CB | 16.111888 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610009 | VG-4231CB | 24.545454 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610010 | VG-4231CB | 16.128000 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610011 | VG-4231CB | 24.570000 MHz | JGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610013 | VG-4231CB | 10.000000 MHz | GGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610024 | VG-4231CB | 79.075000 MHz | GGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610042 | VG-4231CB | 40.965000 MHz | GGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
| X1G0028610051 | VG-4231CB | 25.000000 MHz | GGCZ | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | CMOS | +/-100 ppm | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 10 mA |
在使用愛普生晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊：
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
1.噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
2.電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
3.輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
4.未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.
5.熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
6.安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.愛普生晶振,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振
7.通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032S晶振,壓控晶體振蕩器
NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS輸出壓控晶振
HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器
HOSONIC晶振,壓控晶體振蕩器,D5SV晶振