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HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器

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產品簡介

壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,SMD壓控振蕩器應用:SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛.

產品詳情

HX-2

鴻星晶振的產品作為一個健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個有能力的團隊和基礎設施,為我們所做的每一個產品.公司建立平臺有機的學習鼓勵跨職能團隊的工作保持更好的環(huán)境和溫補晶振,石英晶體振蕩器技術改進.

鴻星晶振科技股份有限公司,依據‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細節(jié)及調整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應關系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、產品及服務.

1.為環(huán)境保護和降低成本開發(fā)綠色技術.

2.為協(xié)調發(fā)展,共同參與社會的環(huán)境、健康與安全的改善活動.

3.在產品的整個生命周期內確定、評價和改進重要的環(huán)境、健康和安全因素.

4.建立和維護以國際協(xié)定和國家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎的企業(yè)內部標準.

5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產環(huán)境,開發(fā)生產過程的安全技術,明確緊急狀態(tài)反應的職責.

yijin-1

HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

壓控晶體振蕩器原理:

壓控晶體振蕩器是通過調節(jié)(控制腳)電壓,使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器,主要是通過變二極管(Vd)的電的變化,使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化.

牽引范圍(VCXO):是針對VCXO壓控晶振的參數.

帶有壓控功能的晶振為(VCXO,即通過調節(jié)控制電壓改變輸出頻率.牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值.此值一般用ppm表示.通常牽引范圍大約為100 - 200ppm,取決于VCXO壓控晶振的結構和所選擇的晶體.

yijin-2

項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

1.75M~54MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請聯(lián)系我們以了解更多相關信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

yijin-3

D3SV 3225 VCXO

yijin-4

在使用鴻星晶振時應注意以下事項:

安裝SMD有源晶體振蕩器

請確保不要超過相應的回流條件元件規(guī)格,如峰值溫度,最大持續(xù)時間,數量等暴露,溫度變化率與時間的關系等.HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器

手工焊接可在最高350℃的溫度下進行.持續(xù)3秒最大.不允許焊接在金屬封裝表面或焊接的封裝邊緣上.請避免電路板的極端變形.變形可能導致分離PCB接觸墊,SMD晶振,有源晶體振蕩器端子的分離或焊接接頭的裂縫.

特別是在已經將組件與組件分開時要求完全注意安裝.應避免板的任何變形或彎曲.如果使用自動安裝系統(tǒng),請選擇輕微沖擊的設備產生,并在使用前檢查電擊的強度.

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