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首頁(yè) NDK晶振

NDK晶振,壓控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶體振蕩器

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

壓控晶振(VCXO晶振)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無(wú)鉛

產(chǎn)品詳情

NDK-1

日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振經(jīng)營(yíng)范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷(xiāo)售

經(jīng)營(yíng)理念:

要認(rèn)識(shí)到作為世界一流廠家的使命和責(zé)任,要始終在行業(yè)中起帶頭作用.

日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振搶先取得社會(huì)需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.

追求使用更方便、更穩(wěn)定的發(fā)振源,創(chuàng)造更高的附加價(jià)值.

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社不畏失敗,向困難挑戰(zhàn),努力培養(yǎng)出能自我開(kāi)發(fā)的人才.

通過(guò)工作發(fā)揚(yáng)人格.

尊重個(gè)人,努力提高員工的生活水平.

以與關(guān)系公司、供貨商及包括地區(qū)社會(huì)在內(nèi)的共同繁榮來(lái)回報(bào)投資者.

致力于保護(hù)地球環(huán)境,擔(dān)負(fù)起責(zé)任.

yijin-1

NDK晶振,壓控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶體振蕩器,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

yijin-2

NDK晶振型號(hào)

NV3225SA晶振

輸出頻率范圍

1.25~80MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz

電源電壓范圍

+1.68~+3.5V

電源電壓(Vcc)

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz)

待機(jī)時(shí)電流

-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/

輸出電壓

0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6max.(After 2 reflows)

溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-55~+125℃(Option)

電源電壓特性

±0.2×10-6max.(VCC±5%)

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10%)

長(zhǎng)期變化

±1.0×10-6max./year

頻率控制

控制靈敏度

±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V@VCC=+1.8V

頻率控制極性

正極性

yijin-3

NV3225SA 3225

NDK小型VCXO晶振型號(hào)

型名 尺寸大小
(mm)
額定頻率范圍
(MHz)
輸出規(guī)格 頻率允許偏差 電壓(V) 工作溫度范圍(℃) 消耗電流(mA)
L W H Min. Max. [×10-6] [VCC] Min. Max. Max.
NV2520SA晶振 2.5 2.0 0.9 1.25 80 CMOS ±50 +3.3 -40 +85 11
NV3225SA晶振 3.2 2.5 0.9 1.25 80 CMOS ±50 +3.3 -40 +85 11

yijin-4在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意

晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請(qǐng)閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.

1.電源旁路電容

使用本產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能).

2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器

1)安裝電路板后溫度快速變化

當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)陶瓷有晶體時(shí)鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會(huì)破裂,如果受到影響長(zhǎng)時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過(guò).

2)通過(guò)自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊

當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過(guò)的沖擊過(guò)程安裝振蕩器時(shí)會(huì)發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會(huì)改變或惡化.

3)板彎曲應(yīng)力

將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.NDK晶振,壓控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶體振蕩器

3.抗跌落沖擊力

本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊(最多三次).但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測(cè)量產(chǎn)品的性能或您要求我們?cè)俅螠y(cè)量它.

4.靜電

本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個(gè)環(huán)境中處理產(chǎn)品對(duì)抗靜電的措施拍攝.

5.耐高溫

關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時(shí)在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過(guò)24小時(shí),產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無(wú)法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).

6. EMI

當(dāng)您考慮EMI時(shí),低電源電壓建議使用(例如2.5V,1.8V,1.5V0.9V.此外,請(qǐng)事先咨詢我們有關(guān)的組合針對(duì)上述EMI的兩種對(duì)策.

7.超聲波清洗

當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時(shí)根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會(huì)發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請(qǐng)務(wù)必檢查條件.

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