日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振搶先取得社會(huì)需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.追求使用更方便、更穩(wěn)定的發(fā)振源,創(chuàng)造更高的附加價(jià)值.
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對(duì)客戶的服務(wù),為社會(huì)繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長(zhǎng)為目標(biāo)而努力.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
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NDK晶振型號(hào) |
NV5032SA晶振 |
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輸出頻率范圍 |
62~170MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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NV5032SB壓控晶振參數(shù)表
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NDK晶振型號(hào) |
NV5032SB晶振 |
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輸出頻率范圍 |
1.25~60MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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NDK電壓控制晶體振蕩器型號(hào)
NDK壓控晶振型號(hào)
尺寸大小
頻率范圍
輸出規(guī)格
頻率
電壓
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV5032SB晶振
5.0
3.2
1.2
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
NV5032SA晶振
5.0
3.2
1.2
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV5032SC(低相位噪聲)
5.0
3.2
1.2
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SF壓控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA貼片晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA(低相位噪聲)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA(高溫范圍）
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA壓控振蕩器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意
清潔
對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.
儲(chǔ)存
晶體振蕩器的環(huán)境溫度和濕度儲(chǔ)存應(yīng)根據(jù)常溫和正常情況而定濕度（+5至45°C和10至75％）.溫度和濕度以上顯示的是確保環(huán)境的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器的特性在進(jìn)入時(shí)不會(huì)惡化使用或在長(zhǎng)時(shí)間不使用電源后使用施加電源電壓.但是,電氣和機(jī)械特性,如振蕩頻率老化特性和焊接性能,可能會(huì)隨時(shí)間而變化.因此它是建議不要將晶體振蕩器存放起來長(zhǎng)期（三個(gè)月或更長(zhǎng)時(shí)間）,雖然取決于關(guān)于他們的規(guī)格和配置,存儲(chǔ)期限將不同.NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振
此外,請(qǐng)勿將晶體振蕩器存放在環(huán)境中高溫高濕（相對(duì)濕度：75％或更多）以及產(chǎn)生腐蝕性氣體的地方.如果你需要在暴露于海洋的環(huán)境中使用晶體振蕩器微風(fēng)或濕度高的地方和露水凝結(jié)容易發(fā)生,考慮使用密封的.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032S晶振,壓控晶體振蕩器