日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振的新概念的溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措.制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱.
制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下,發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法.
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社所說的LCA指的是“生命周期評估”,它包括評估產(chǎn)品的壽命.在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開采階段,包括產(chǎn)品的制造階段,銷售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它,和處置階段,通過用戶廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置.在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國際標(biāo)準(zhǔn).
NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2016SC晶振,NT2016SD晶振,2016mm體積的溫補(bǔ)晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應(yīng)回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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型號 |
NT2016SC晶振,NT2016SD晶振 |
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輸出頻率范圍 |
10~52MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.368M/16.369M/19.2M/26M/33.6M/38.4M/52M |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz） |
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待機(jī)時電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30?+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
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頻率控制極性 |
- |
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啟動時間 |
2.0ms max. |
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日本電波2016溫補(bǔ)晶振型號表
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特征 |
頻率范圍 |
頻率 |
NDK晶振型號 |
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對應(yīng)寬溫的 |
10～52 |
±0.5×10-6 |
NT2016SE晶振 |
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帶有同一頻率的兩個輸出功能 |
10～52 |
±2.0×10-6 |
NT2016SC晶振 |
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+1.2V、E/D功能 |
26～40 |
±0.5×10-6 |
NT2016SB晶振 |
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帶有溫度感應(yīng)電壓輸出功能和E/D功能 |
10～52 |
±0.5×10-6 |
NT2016SD溫補(bǔ) 晶振 |
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帶有AFC（頻率控制）功能 |
10～52 |
±2.0×10-6 |
NT2016SA晶振 |
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適用于高精度GPS |
10～52 |
±0.5×10-6 |
NT2016SA溫補(bǔ)晶振 |
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適用于高精度GPS,E/D功能 |
10～52 |
±0.5×10-6 |
NT2016SB晶振 |
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具有Enable/Disable(Stand-by)功能 |
10～52 |
±2.0 ×10-6 |
NT2016SB溫補(bǔ)晶振 |
在使用NDK晶振時應(yīng)注意以下事項(xiàng)：
晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.
1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時,請放置一個約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間（盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能）.
2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器
（1）安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時陶瓷有晶體時鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2016SC晶振,NT2016SD晶振
（2）通過自動安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)晶體時鐘振蕩器被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化.
（3）板彎曲應(yīng)力
將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）.但是,如果錯誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產(chǎn)品的性能或您要求我們再次測量它.
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝.
5.耐高溫
關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時,產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).NDK晶振,溫補(bǔ)晶振,NT2016SC晶振,NT2016SD晶振
6. EMI
當(dāng)您考慮EMI時,低電源電壓建議使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,請事先咨詢我們有關(guān)的組合針對上述EMI的兩種對策.
7.超聲波清洗
當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請務(wù)必檢查條件.
8.請將水晶時鐘振蕩器用于特殊用途時歡迎與我們聯(lián)系.
EPSON晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,TG2016SBN晶振,TG2016SBN-16.0000M-PCGNDM3晶振
大真空晶振,溫補(bǔ)晶振,DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振
日本KDS晶振,TCXO晶振,DSB211SDA晶振,DSB211SDB晶振
日本大真空晶體,溫補(bǔ)晶振,DSB211SCA晶振
日本大真空晶體,石英晶體振蕩器,DSB211SDT晶振