日本株式會(huì)社大真空KDS晶振發(fā)展史：

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進(jìn)口晶振,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會(huì)社大真空KDS晶振在東京辦事處開(kāi)業(yè).

1973年開(kāi)設(shè)kurodasho廠（現(xiàn)在的西脅工廠）生產(chǎn)晶體管.

1974年開(kāi)設(shè)川廠（現(xiàn)在的涼廠）是目前人造石英晶體,（SPXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.

1976年開(kāi)設(shè)宮崎廠（目前九州大真空公司）為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空（美國(guó)）有限公司開(kāi)始向美國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)晶體諧振器.

1980年開(kāi)設(shè)鳥取工廠（目前鳥取生產(chǎn)部）對(duì)晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開(kāi)始生產(chǎn)石英晶體濾波器和晶振時(shí)鐘.

1981年建立大真空（香港）公司開(kāi)始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國(guó)市場(chǎng).

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨(dú)立完成中心實(shí)驗(yàn)室,開(kāi)設(shè)德島工廠（目前德島生產(chǎn)部）作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設(shè)備和石英諧振器,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)低通濾波器.

1985年打開(kāi)德島第二廠開(kāi)始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開(kāi)配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開(kāi)業(yè).開(kāi)始的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加強(qiáng)在東盟地區(qū)銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動(dòng)海外生產(chǎn)晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空（德國(guó)）公司加強(qiáng)在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開(kāi)始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動(dòng)子,32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).

1996日本株式會(huì)社大真空KDS晶振獲得ISO9001（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)）.

1998（獲得QS9000質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)/汽車質(zhì)量保證管理體系.）

2000獲得ISO14001（環(huán)境管理體系由國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織）,獲得ISO / TS 16949（技術(shù)規(guī)范由國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織）.

2003擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國(guó)際貿(mào)易有限公司加強(qiáng)在中國(guó)的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強(qiáng)石英晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO晶振）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等器件業(yè)務(wù).

2010日本株式會(huì)社大真空KDS晶振建立大真空（泰國(guó)）有限公司.

2012日本株式會(huì)社大真空KDS晶振擴(kuò)大在加古川市中央實(shí)驗(yàn)室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節(jié)上市.

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開(kāi)發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(KDS)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.

日本大真空晶體,溫補(bǔ)晶振,DSB211SCA晶振,溫補(bǔ)晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、低損耗TCXO石英晶振,石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一.KDS晶振具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定.

在使用日本大真空晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)KDS晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)

陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）.尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.日本大真空晶體,溫補(bǔ)晶振,DSB211SCA晶振

（2）陶瓷封裝貼片晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.