日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責(zé)任.
日本株式會社大真空KDS晶振三種信賴行為守則：
可靠的人以獨立、自助、自足的努力作為基本的行動原則,我們將充分利用我們的優(yōu)勢,為社會整體和接近一切真誠和熱情.
可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,,我們將幫助實現(xiàn)一個富裕的社會,通過優(yōu)化我們的能力,開發(fā)最好的產(chǎn)品和服務(wù),并提供給我們所有的客戶在世界各地.
可靠的公司,我們努力履行我們的企業(yè)社會責(zé)任,通過持續(xù)的利潤,通過企業(yè)活動,遵守所有的法律法規(guī),尊重他們的精神,注重與全球環(huán)境的和諧.
大真空晶振,溫補晶振,DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指大真空石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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KDS晶振型號 |
DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振 |
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輸出頻率范圍 |
9.6~52MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz） |
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待機時電流 |
-更多晶振參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
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頻率控制極性 |
- |
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啟動時間 |
2.0ms max. |
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在使用KDS晶振時應(yīng)注意以下事項
以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題：
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應(yīng)是進口石英晶體振蕩器,晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果KDS晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.大真空晶振,溫補晶振,DSB221SCM晶振,DSB221SCB晶振
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
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