1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振, 有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器等.
1981年Pletronics晶振公司在韓國建立了一家獨資工廠
1997年通過BSI實現(xiàn)了ISO 9001:1994,符合歐盟環(huán)保要求.
2000年賣掉了韓國工廠.轉(zhuǎn)移到合同制造(鑄造廠)
2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
2002年通過BSI實現(xiàn)了ISO 9001:2000,符合歐盟環(huán)保要求,開發(fā)出高頻基本晶體
2003年Pletronics晶振公司在韓國和中國合資經(jīng)營
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動,低電源電壓,低功耗等特點.
2005年第一個合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動等特點.適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2007年合成振蕩器的合資企業(yè)建立
2008年為新興技術(shù)發(fā)布了重要的新產(chǎn)品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.
2009年發(fā)展過程和精密TCXO溫補晶振,溫補晶體振蕩器的初步試生產(chǎn)
2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術(shù)
2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無線電基站, 北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進100fs超低抖動的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器, 北斗導(dǎo)航溫補晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強TCVCXO壓控溫補晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進了50fS超低抖動的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補晶體振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO).
Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時鐘的可靠性.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
Pletronics晶振型號 |
符號 |
LV99D晶振 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
80~325MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更多晶振參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振時應(yīng)注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.