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首頁(yè) IDTcrystal晶振

IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.

產(chǎn)品詳情

IDT-2

Integrated Device Technology, Inc.(以下簡(jiǎn)稱IDT晶振集團(tuán)),成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,全球人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市主要開發(fā)優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)解決方案.

IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級(jí)別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí). 對(duì)于尋求在標(biāo)準(zhǔn)振蕩器封裝中提供高性能和無(wú)可比擬的靈活性的時(shí)鐘源的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.

yijin-1

IDT晶振,差分晶振,XUO晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn), 差分晶振的頻率相對(duì)都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲(chǔ)存溫度非常寬,客戶實(shí)驗(yàn)證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動(dòng)晶振能達(dá)到1V,起振時(shí)間為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

yijin-2

IDT晶振型號(hào)

符號(hào)

XUO晶振(5032)

輸出規(guī)格

-

HCSL

輸出頻率范圍

fo

0.016~670MHz

電源電壓

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

頻率公差
(含常溫偏差)

f_tol

±50×10-6max., ±100×10-6max.

保存溫度范圍

T_stg

-40+85

運(yùn)行溫度范圍

T_use

-10+70,-40+85

消耗電流

ICC

30mA max. (fo170MHz),

待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L"

I_std

10μA max.

輸出負(fù)載

Load-R

50Ω

波形對(duì)稱

SYM

45?55% [at outputs cross point]

0電平電壓

VOL

-0.150.15V

1電平電壓

VOH

0.580.85V

上升時(shí)間下降時(shí)間

tr, tf

0.5ns max. [0.1750.525V Level]

差分輸出電壓

VOD1, VOD2

-更多相關(guān)信息資料請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn

差分輸出誤差

VOD

-

補(bǔ)償電壓

VOS

-

補(bǔ)償電壓誤差

VOS

-

交叉點(diǎn)電壓

Vcr

250550mV

OE端子0電平輸入電壓

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.7 min.

輸出禁用時(shí)間

tPLZ

200ns

輸出使能時(shí)間

tPZL

2ms

周期抖動(dòng)(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

總抖動(dòng)(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]

相位抖動(dòng)

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz)
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

yijin-3

XUO 5032

yijin-4在使用IDT晶振時(shí)應(yīng)該注意以下事項(xiàng):

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型

晶振焊接條件

插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下
比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件

手工焊接+300°C或低于3秒鐘
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C

SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°

+260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.

wdbhqxt

盡可能使溫度變化曲線保持平滑:

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