1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器等.
1981年Pletronics晶振公司在韓國建立了一家獨(dú)資工廠
1997年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:1994,符合歐盟環(huán)保要求.
2000年賣掉了韓國工廠.轉(zhuǎn)移到合同制造(鑄造廠)
2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
2002年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:2000,符合歐盟環(huán)保要求,開發(fā)出高頻基本晶體
2003年Pletronics晶振公司在韓國和中國合資經(jīng)營
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動(dòng),低電源電壓,低功耗等特點(diǎn).
2005年第一個(gè)合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動(dòng)等特點(diǎn).適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2007年合成振蕩器的合資企業(yè)建立
2008年為新興技術(shù)發(fā)布了重要的新產(chǎn)品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.
2009年發(fā)展過程和精密TCXO溫補(bǔ)晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器的初步試生產(chǎn)
2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術(shù)
2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無線電基站,北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進(jìn)100fs超低抖動(dòng)的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器,北斗導(dǎo)航溫補(bǔ)晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強(qiáng)TCVCXO壓控溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進(jìn)了50fS超低抖動(dòng)的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,壓控晶體振蕩器（VCXO）.
Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
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Pletronics晶振型號(hào) |
符號(hào) |
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輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
10.9~670MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
|
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃,-40?+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對(duì)稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
-更所晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時(shí)間下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125?1.375V |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
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Pletronics晶振型號(hào) |
符號(hào) |
LV97晶振 |
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輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
10.9~670MHz |
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電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃,-40?+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對(duì)稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
-更多晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時(shí)間下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125?1.375V |
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補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
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相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：
晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
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晶振產(chǎn)品類型 |
晶振焊接條件 |
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插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
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SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230° |
+260°C或低于@最大值10 s |
(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振
盡可能使溫度變化曲線保持平滑：
IDT晶振,差分晶振,XUL晶振
Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器
EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振
愛普生晶振,差分晶振,EG-2121CA晶振,EG-2102CA晶振,EG-2102CA 125.0000M-PHPAL3
TXC晶振,差分晶振,BF晶振,BFA2500001晶振
NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振