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首頁 Jauch晶振

Jauch晶振,貼片晶振,JXS22晶振,JXS22P4晶振,JXS22-WA晶振

Jauch晶振,貼片晶振,JXS22晶振,JXS22P4晶振,JXS22-WA晶振Jauch晶振,貼片晶振,JXS22晶振,JXS22P4晶振,JXS22-WA晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用

產(chǎn)品詳情

Jauch-1

Jauch晶振集團(tuán)是石英晶體、晶體振蕩器和電池技術(shù)的主要專家之一.公司成立于1954,現(xiàn)在是一家領(lǐng)先的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制產(chǎn)品行業(yè)的公司,最近也有創(chuàng)新的MEMS計(jì)時(shí)時(shí)鐘.

Jauch晶振深入的技術(shù)咨詢、高應(yīng)用程序和認(rèn)證技術(shù)、先進(jìn)的測(cè)試環(huán)境、高可用性和快速交付的產(chǎn)品以及世界上最大的頻率生成設(shè)備倉(cāng)庫.

Jauch石英晶振集團(tuán)位于villingen - schwenningen的總部的生產(chǎn)設(shè)施,以及時(shí)的方式滿足世界各地的客戶需求:MEMS振蕩器在我們自己的生產(chǎn)設(shè)施中配置和交付,并注重及時(shí).

Jauch晶振作為一家全球活躍的公司,我們所有的業(yè)務(wù)關(guān)系都是建立在整個(gè)組織的一致的企業(yè)社會(huì)責(zé)任意識(shí)之上的.Jauch每天都致力于為我們的員工以及我們的石英晶體振蕩器,有源晶振石英晶振客戶、供應(yīng)商以及參與我們企業(yè)成功的每個(gè)人提供最高的公司治理標(biāo)準(zhǔn).我們按照社會(huì)標(biāo)準(zhǔn)和現(xiàn)行法律進(jìn)行所有活動(dòng).我們的基本原則,關(guān)于雇員的安全和健康,童工,歧視,公平工資,腐敗,賄賂以及環(huán)境保護(hù),都在Jauch集團(tuán)的行為守則中得到了支持.我們希望每個(gè)參與公司成功的人都能遵守這些行政原則.

yijin-1

Jauch晶振,貼片晶振,JXS22晶振,JXS22P4晶振,JXS22-WA晶振,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

yijin-2

Jauch晶振規(guī)格

單位

JXS22晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12.00MHZ~54.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +90°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

Jauch晶振規(guī)格

單位

JXS22P4晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12.00MHZ~40.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JAUCH晶振規(guī)格

單位

JXS22-WA晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

16.00MHZ~52.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +105°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

JXS22晶振尺寸圖:

jxs22 2520

JXS22P4晶振尺寸圖:

jxs22p4 2520JXS22-WQ晶振尺寸圖:

jxs22wa 2520

yijin-4

在使用Jauch晶振時(shí)應(yīng)該注意以下事項(xiàng):

以下是設(shè)計(jì)振蕩回路

產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re
表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R11+Co/CL2.

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2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻.Jauch晶振,貼片晶振,JXS22晶振,JXS22P4晶振,JXS22-WA晶振

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CLCG × CD / CG+CD + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.

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