GVXO-53F晶振,VCXO振蕩器,高利奇進口晶振,GVXO-53F/NC 27.000MHZ,7050石英貼片

GVXO-53F/NC 27.000MHz晶振采用 7050貼片封裝（5x7mm貼片晶振），在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高密度電路布局。其標(biāo)準(zhǔn)化尺寸兼容主流貼片工藝，支持自動化生產(chǎn)，大幅提升組裝效率，適用于5G通信模塊、車載電子、工業(yè)控制器等空間受限場景，助力設(shè)備小型化與輕量化。結(jié)合Golledge晶振的技術(shù)積淀，為高速通信、智能汽車、工業(yè)4.0等前沿領(lǐng)域提供高性價比的時鐘解決方案，推動電子系統(tǒng)向更高精度與更強環(huán)境適應(yīng)性演進。
作為 VCXO晶振，支持通過外部電壓（0.3V至3.3V）實時微調(diào)輸出頻率（調(diào)節(jié)范圍±50ppm至±150ppm），靈活應(yīng)對溫度漂移、信號干擾等動態(tài)環(huán)境變化。這一特性使其在以下場景中表現(xiàn)卓越：通信基站、高速數(shù)據(jù)傳輸、雷達系統(tǒng)。

GVXO-53F晶振,VCXO振蕩器,高利奇進口晶振,GVXO-53F/NC 27.000MHZ,7050石英貼片

頻率范圍	1.0 ~ 125兆赫
尺寸	7.5 x 5.0 x 2.1 毫米
電壓控制	+1.65V ±1.5V，10% 線性度
儲存溫度范圍	-40 至 +85°C
電源電壓 （VDD 系列)	+3.3V （±0.3V）
電源電流	最大 15mA （1.0 ~ 30.0MHz）
	最大 25mA （>30.0 ~ 52.0MHz）
	最大 35mA （>52.0 ~ 125MHz）
駕駛能力	15pF CMOS
邏輯電平	“0”電平 = 10%VDD 系列最大
	“1”電平 = 90%VDD 系列分鐘
輸出電流	“0”電平 = 4.0mA min
	“1”電平 = -1.0mA min
波形對稱性	最大 40：60
上升/下降時間	最大 5ns （20%~80%VDD 系列)
啟動時間	最大 10ms
啟用/禁用功能	三態(tài)（通過焊盤 2 控制）
啟用/禁用時間	最大 150ns / 150ns

GVXO-53F晶振,VCXO振蕩器,高利奇進口晶振,GVXO-53F/NC 27.000MHZ,7050石英貼片

GVXO-53F晶振,VCXO振蕩器,高利奇進口晶振,GVXO-53F/NC 27.000MHZ,7050石英貼片

所有石英晶振產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。