削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振
高利奇晶振作為晶振制造領(lǐng)域的知名品牌,一直以來都以高品質(zhì)和卓越的技術(shù)著稱。GTXO - 83T石英晶體振蕩器經(jīng)過了嚴(yán)格的質(zhì)量檢測和性能驗證,從原材料的選擇到生產(chǎn)工藝的把控,每一個環(huán)節(jié)都遵循著嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。其可靠的品質(zhì)和出色的性能,贏得了眾多客戶的信賴,廣泛應(yīng)用于通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。
該溫補(bǔ)晶振采用削峰正弦波技術(shù),能夠有效減少信號中的諧波成分,輸出更為純凈、穩(wěn)定的正弦波信號。在對信號質(zhì)量要求極高的電子系統(tǒng)中,如通信設(shè)備、高精度測量儀器等,這種純凈的信號輸出可以顯著降低信號干擾和失真,提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。它確保了數(shù)據(jù)在傳輸和處理過程中的準(zhǔn)確性,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行奠定了堅實(shí)基礎(chǔ)。
削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振
Frequency range | 9.5 ~ 45.0MHz |
Dimensions | 5032貼片晶振 |
Storage temperature range | -40 to +85°C |
Supply voltage stability | ±0.2ppm, VDD±5% |
Load stability | ±0.2ppm, ZL±10% |
Ageing | ±1.0ppm max first year |
Supply voltage (VDD) | +2.4V ~ +3.6V |
Supply current (max) | 1.5mA (9.5 ~ 20.0MHz) |
2.0mA (20.0 ~ 32.0MHz) | |
2.5mA (32.0 ~ 45.0MHz) | |
Output waveform | Clipped sine, 0.8V p-p, +DC offset |
Test load (ZL) | 10kΩ // 10pF |
Start up time | 3ms max |
Phase noise (typ @ 20.0MHz) | -54dBc/Hz @ 1Hz |
-86dBc/Hz @ 10Hz | |
-135dBc/Hz @ 1kHz | |
-151dBc/Hz @ 100kHz | |
Frequency tolerance @ 25°C | ±2.0ppm max, 60mins after reflow |
削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振
削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振
所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。