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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補(bǔ)晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振

頻率:10.00MHz

尺寸:5.0 x 3.2 x 1.15mm

削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振   作為一款TCXO晶振,GTXO - 83T具備出色的溫度補(bǔ)償能力。在不同的溫度環(huán)境下,普通石英晶振的頻率容易發(fā)生漂移,從而影響設(shè)備的正常運(yùn)行。而這款晶振通過內(nèi)置的溫度補(bǔ)償電路,能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度的變化,并對(duì)晶振的頻率進(jìn)行精確調(diào)整,確保在 - 40℃至 85℃甚至更寬的溫度范圍內(nèi),都能保持 ±0.5ppm 甚至更高精度的頻率穩(wěn)定性。這使得它在汽車電子、工業(yè)控制、航空航天等對(duì)溫度穩(wěn)定性要求苛刻的領(lǐng)域中表現(xiàn)卓越。
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yijin-1削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振

高利奇晶振作為晶振制造領(lǐng)域的知名品牌,一直以來都以高品質(zhì)和卓越的技術(shù)著稱。GTXO - 83T石英晶體振蕩器經(jīng)過了嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)和性能驗(yàn)證,從原材料的選擇到生產(chǎn)工藝的把控,每一個(gè)環(huán)節(jié)都遵循著嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。其可靠的品質(zhì)和出色的性能,贏得了眾多客戶的信賴,廣泛應(yīng)用于通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

溫補(bǔ)晶振采用削峰正弦波技術(shù),能夠有效減少信號(hào)中的諧波成分,輸出更為純凈、穩(wěn)定的正弦波信號(hào)。在對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求極高的電子系統(tǒng)中,如通信設(shè)備、高精度測(cè)量?jī)x器等,這種純凈的信號(hào)輸出可以顯著降低信號(hào)干擾和失真,提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。它確保了數(shù)據(jù)在傳輸和處理過程中的準(zhǔn)確性,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

yijin-2削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振

Frequency range 9.5 ~ 45.0MHz
Dimensions 5032貼片晶振
Storage temperature range -40 to +85°C
Supply voltage stability ±0.2ppm, VDD ±5%
Load stability ±0.2ppm, ZL ±10%
Ageing ±1.0ppm max first year
Supply voltage (VDD) +2.4V ~ +3.6V
Supply current (max) 1.5mA (9.5 ~ 20.0MHz)
2.0mA (20.0 ~ 32.0MHz)
2.5mA (32.0 ~ 45.0MHz)
Output waveform Clipped sine, 0.8V p-p, +DC offset
Test load (ZL) 10kΩ // 10pF
Start up time 3ms max
Phase noise (typ @ 20.0MHz) -54dBc/Hz @ 1Hz
-86dBc/Hz @ 10Hz
-135dBc/Hz @ 1kHz
-151dBc/Hz @ 100kHz
Frequency tolerance @ 25°C ±2.0ppm max, 60mins after reflow

GTXO-83T

yijin-3削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振

GTXO-83T 5032 TCXO

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削峰正弦波晶振,TCXO晶振,GTXO-83T/JS-10.00MHz,高利奇,低功耗晶振,GTXO-83T晶振

所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

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Pletronics進(jìn)口晶振,SM55振蕩器,低抖動(dòng)晶振,SM5545JEW-12.288MDK,CMOS振蕩器   SM5545JEW-12.288MDK 是 Pletronics 生產(chǎn)的進(jìn)口低抖動(dòng) CMOS 振蕩器。它能輸出精準(zhǔn)的 12.288MHz 頻率,為電子設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。低抖動(dòng)特性確保信號(hào)穩(wěn)定,有效提升設(shè)備的精準(zhǔn)性和可靠性。CMOS 輸出具備低功耗、高噪聲容限等優(yōu)勢(shì),適配性強(qiáng)。緊湊設(shè)計(jì)便于安裝和集成。廣泛應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制等領(lǐng)域,有助于提高設(shè)備的性能和運(yùn)行穩(wěn)定性,是一款值得信賴的晶振產(chǎn)品。
5032進(jìn)口晶振,VCTCXO振蕩器,OEDA晶振,進(jìn)口Pletronics晶振,OEDA013-26.0M
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UCG4017019JK005000-19.2MDK,削峰正弦波晶振,Pletronics振蕩器,UCG4溫補(bǔ)晶振
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