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井下儀表的精密計(jì)時(shí)解決方案
井下儀器儀表中的精確計(jì)時(shí)
井下/鉆井環(huán)境是地球上最惡劣的環(huán)境之一，具有高溫和高壓。
SiTime Endura™加固型振蕩器專為航空航天、國(guó)防和工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用而設(shè)計(jì)，這些應(yīng)用需要對(duì)各種惡劣環(huán)境條件具有超高的彈性。
關(guān)鍵考慮因素：
1、超出傳統(tǒng)軍用范圍的高溫操作
2、高機(jī)械沖擊和振動(dòng)承受能力
3、密封封裝
4、高可靠性
基于硅 MEMS 的 Endura 振蕩器在氣流、熱梯度、壓力和電源噪聲下提供最低的加速靈敏度、最佳的抗沖擊和抗振動(dòng)性、高可靠性和卓越的動(dòng)態(tài)性能。
Endura 產(chǎn)品可以在工廠編程為各種參數(shù)范圍內(nèi)的頻率、穩(wěn)定性和電壓的任意組合，從而消除了與石英產(chǎn)品相關(guān)的較長(zhǎng)交貨時(shí)間和定制成本。 Endura 振蕩器根據(jù) MIL-PRF-55310 和 MIL-STD-883 規(guī)范進(jìn)行測(cè)試。提供標(biāo)準(zhǔn)或定制的上篩選流程。
井下儀器收集關(guān)鍵的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。主要應(yīng)用包括隨鉆監(jiān)測(cè) (MWD) 和隨鉆測(cè)井 (LWD)。這些是類似的設(shè)備，但采用不同類型的傳感器。MWD 記錄瞬時(shí)鉆探參數(shù)，這些參數(shù)可用于提供現(xiàn)場(chǎng)、井下條件的背景信息，例如地質(zhì)變化、預(yù)先存在的裂縫或空隙的存在以及動(dòng)態(tài)變化。
LWD 是更古老的電纜工具的更現(xiàn)代版本。隨鉆測(cè)井工具在鉆井時(shí)收集井下數(shù)據(jù)，無(wú)需從井中取出鉆桿。 LWD 提供與有線測(cè)井類似的功能，但在數(shù)據(jù)質(zhì)量、分辨率和/或覆蓋范圍方面存在差異。
與石英晶體振蕩器相比，基于 MEMS 的振蕩器更能抵抗沖擊和振動(dòng)，對(duì)電磁能和電源噪聲具有高度的免疫力，并且是可編程的。
一、在惡劣環(huán)境下更加堅(jiān)固：
1、抗振性提高 4 倍 — 0.1 ppb/g（典型值）
2、抗沖擊能力提高 20 倍
二、在較寬的溫度范圍內(nèi)具有更好的穩(wěn)定性
1、工作溫度高達(dá) -55 至 +125°C
2、抗氣流和熱沖擊 — 1 ppb/°C
三、靈活設(shè)計(jì)的可編程性
1、寬范圍內(nèi)任意頻率、任意穩(wěn)定性、任意電壓
2、一次獲得多個(gè)零件的資格
四、更高的質(zhì)量和可靠性
1、可靠性提高 50 倍 — 22 億小時(shí) MTBF
2、終身保修
五、獨(dú)特的功能
1、EMI 降低 — 降低高達(dá) 30 dB
2、低功耗，延長(zhǎng)電池壽命
3、尺寸更小 — 封裝小至 1.2 mm x 1.1 mm
Endura™ 計(jì)時(shí)解決方案
| 設(shè)備 | 主要特征 | 關(guān)鍵價(jià)值 |
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單端振蕩器
SiT8944 1 至 60 MHz
SiT8945 60 至 220 MHz
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-55°C 至 125°C 范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定性為 ±10 ppm 至 ±50 ppm
0.1 ppb/g 加速度靈敏度
低抖動(dòng)： 0.5 ps RMS [1]
1.8V、2.5V、3.3V |
更好的頻率和抖動(dòng)裕度增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性和魯棒性 輕松實(shí)現(xiàn)任何設(shè)備配置 最大限度地減少振蕩器的 EMI |
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SiT9346 1 至 220 MHz
SiT9347 220 至 725 MHz
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低抖動(dòng) 0.23 ps RMS
LVPECL、LVDS、HCSL 2.5 至 3.3V -40°C 至 105°C
3.2 x 2.5 毫米封裝
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滿足苛刻的抖動(dòng)要求 PCB 占地面積小，布局更容易 由于靈活性而易于設(shè)計(jì) MEMS可靠性 |
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直流XO
SiT3541 1 至 220 MHz
SiT3542 220 至 725 MHz
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數(shù)字頻率控制 I 2 C/SPI
±3200 ppm 牽引范圍
5 ppt 分辨率
整個(gè)溫度范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定性為 ±10 ppm 至 ±50 ppm
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無(wú)需外部 DAC 即可控制 VCXO
由于數(shù)字控制，精度更高，噪音更低 |
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超級(jí)TCXO
SiT5146 1 至 60 MHz
SiT5147 1 至 60 MHz
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55°C 至 105°C 范圍內(nèi)的穩(wěn)定性為 ±0.5 至 ±2.5 ppm ±15ppb/°C
0.009 ppb/g 加速度靈敏度
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在沖擊和振動(dòng)下極其穩(wěn)定 振動(dòng)下相位噪聲無(wú)變化 最大限度地減少由于沖擊、振動(dòng)或溫度變化而導(dǎo)致的鏈路丟失
I 2 C/SPI 數(shù)字控制可加快設(shè)計(jì)速度
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超級(jí)TCXO晶振
SiT5346 1 至 60 MHz
SiT5347 60 至 220 MHz
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-40°C 至 105°C 范圍內(nèi)的穩(wěn)定性為 ±0.1 至 ±0.25 ppm ±1ppb/°C
0.009 ppb/g 加速度靈敏度
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在沖擊和振動(dòng)下極其穩(wěn)定 振動(dòng)下相位噪聲無(wú)變化 最大限度地減少由于沖擊、振動(dòng)或溫度變化而導(dǎo)致的鏈路丟失
I 2 C/SPI 數(shù)字控制可加快設(shè)計(jì)速度
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超級(jí)TCXO
SiT5348 1 至 60 MHz
SiT5349 60 至 220 MHz
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-40°C 至 105°C 范圍內(nèi)的穩(wěn)定性為 ±50 ppb ±1ppb/°C
0.009 ppb/g 加速度靈敏度
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在沖擊和振動(dòng)下極其穩(wěn)定 振動(dòng)下相位噪聲無(wú)變化 最大限度地減少由于沖擊、振動(dòng)或溫度變化而導(dǎo)致的鏈路丟失
I 2 C/SPI 數(shù)字控制可加快設(shè)計(jì)速度
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