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汽車ECU的MEMS時(shí)序解決方案

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2024-12-16 15:13:17【
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汽車 ECU
電子控制系統(tǒng) (ECU) 是一種嵌入式系統(tǒng),用于控制一個(gè)或多個(gè)車輛系統(tǒng)——從動(dòng)力總成到信息娛樂(lè)系統(tǒng),在現(xiàn)代車輛中,從傳感器到執(zhí)行器,所有與駕駛員輔助和自動(dòng)駕駛相關(guān)的系統(tǒng)。ASIL D 對(duì)于大多數(shù)域控制器是強(qiáng)制性的,時(shí)鐘在支持功能安全要求方面發(fā)揮著重要作用。

隨著 E/E 架構(gòu)越來(lái)越依賴高速接口,SiTime晶振 MEMS 時(shí)序解決方案提供了汽車 ECU 所需的性能。SiTime 時(shí)鐘具有高精度、更好的溫度穩(wěn)定性、抗沖擊和振動(dòng)能力以及低抖動(dòng)。

SiTime MEMS 定時(shí)優(yōu)勢(shì)
一、完整的 MEMS 時(shí)鐘樹(shù)
  擴(kuò)頻振蕩器
  低抖動(dòng)差分晶振
  32.768-kHz XO 和 TCXO
  精密 TCXO

二、在實(shí)際條件下最堅(jiān)固
  150 fs rms 抖動(dòng),出色的 PSNR
  抗沖擊和振動(dòng)
  在較寬的溫度下保持穩(wěn)定
  22 億小時(shí) MTBF

三、集成 MEMS,易于使用
  無(wú) quartz 可靠性問(wèn)題
  在低溫下可靠啟動(dòng)
  無(wú)需蓋板或屏蔽層
  任何頻率的交貨時(shí)間短


車 ECU 框圖

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從車輛分布式架構(gòu)到域架構(gòu)的過(guò)渡對(duì)時(shí)序有重大影響。對(duì)于域架構(gòu),使用更高速度的接口對(duì)低抖動(dòng)時(shí)鐘提出了更大的需求。隨著 ECU 復(fù)雜性的增加,需要更多的時(shí)鐘晶振。功能安全是當(dāng)今汽車系統(tǒng)不可或缺的一部分。ASIL D 對(duì)于大多數(shù)域控制器來(lái)說(shuō)是強(qiáng)制性的,時(shí)鐘在支持功能安全要求方面發(fā)揮著重要作用。


用于汽車 ECU 的 MEMS 時(shí)序解決方案

設(shè)備 主要特點(diǎn) 關(guān)鍵價(jià)值
單端振蕩器
SiT8924 1 至 110 MHz
高達(dá) -55°C 至 +125°C
±20 ppm 穩(wěn)定性
2016、2520、3225 包
高可靠性
擴(kuò)展溫度范圍
占地面積小
單端振蕩器
SiT9025 1 至 110 MHz
高達(dá) -55°C 至 +125°C
擴(kuò)頻
可配置的上升/下降時(shí)間
2016、2520、3225 包
高可靠性
擴(kuò)展溫度范圍
降低 EMI
差分振蕩器
SiT9396 1 至 220 MHz
SiT9397 220 至 920 MHz
低抖動(dòng):< 150 fs RMS[1]
在 -40 至 +125°C 范圍內(nèi)保持 ±30、±50 ppm 的穩(wěn)定性
LVPECL、LVDS、HCSL、低功耗 HCSL、FlexSwing™
2016、2520、3225 包
高可靠性
低抖動(dòng)
支持具有苛刻抖動(dòng)要求的接口,例如 PCI-Express 和 10 GB 以太網(wǎng)
超級(jí) TCXO晶振
SiT5386 1 至 60 MHz
SiT5387 60 至 220 MHz
在 -40 至 +125°C 范圍內(nèi)具有 ±0.1、±0.2、±0.25 ppm 的穩(wěn)定性
±1 ppb/°C 頻率斜率
低抖動(dòng):0.31 ps RMS[1]
可選電壓或數(shù)字頻率控制
高精度
出色的頻率穩(wěn)定性和快速溫度梯度
不會(huì)因微跳轉(zhuǎn)而丟失 GNSS 信號(hào)或 V2X 斷開(kāi)連接



SiTime 優(yōu)勢(shì)
石英晶體相比,SiTime 器件具有以下優(yōu)勢(shì),這在汽車中尤為重要。

  1、可靠性提高 50 倍。除了減少現(xiàn)場(chǎng)故障的數(shù)量外,更好的可靠性還轉(zhuǎn)化為更低的 FIT 率。這在 FMEDA 中提供了更好的硬件安全指標(biāo),這是功能安全評(píng)估所需的定量分析。
  2、由于與晶體相比,MEMS 諧振器的尺寸更小 (0.4 x 0.4 mm) 且質(zhì)量更輕,因此抗沖擊、振動(dòng)和電磁干擾能力提高了 100 倍。當(dāng)不對(duì)晶體造成永久性損壞時(shí),沖擊和振動(dòng)會(huì)在晶體振蕩器中引起抖動(dòng)。如前所述,抖動(dòng)可能對(duì)高速鏈路的誤碼率有害。SiTime 振蕩器具有更好的彈性,無(wú)論工作條件如何,都能確保低誤差率。
  3、頻率精度更高,老化效率降低 10 倍,在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有出色的穩(wěn)定性 – 在 -40°C 至 +125°C 下低至 ±20 ppm(XO 器件),在 -40 至 +105°C 下低至 ±0.1 ppm(TCXO 器件)。



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國(guó)內(nèi)晶振分類:
Domestic Crystal
進(jìn)口晶振分類:
Import Crystal