石英晶體的原子面符號(hào)

石英晶體和非晶體本質(zhì)差別在于它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否存在周期性。為了描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性,用空間點(diǎn)陣來(lái)模擬晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)。通過(guò)點(diǎn)陣的“點(diǎn)子”作三組向不同的平行線,就構(gòu)成了空間格子,稱為“晶格”,如圖1.2.1。

圖1.2.1晶格示意圖

整個(gè)空間格子是由一個(gè)單元重復(fù)排列的結(jié)果,這個(gè)重復(fù)單元就稱為“晶胞”。晶胞是石英晶體結(jié)構(gòu)的基本單元,晶胞的形狀和大小由晶胞參數(shù)(晶胞的幾個(gè)邊長(zhǎng)和這幾個(gè)邊長(zhǎng)之間的夾角)來(lái)決定。晶胞的選擇不是唯一的,除反映晶體內(nèi)部的周期性外,還要反映晶體的外部對(duì)稱性。

石英晶體的晶胞是選擇如圖1.2.2所示的六角晶胞,其晶胞參數(shù)為c=b=d4.9404A;c=5.394A;a=B=90°;y=120°

圖1.2.2六角晶胞示意圖

在晶體點(diǎn)陣中,通過(guò)任一點(diǎn)子,可以作全同的原子面和一原子面平行,構(gòu)成一族平行原子面。這樣一族原子面包含了所有點(diǎn)子,它們不僅平行而且等距,各原子面上點(diǎn)子分布情況相同。晶體中有無(wú)限多族平行原子面。不同族原子面在石英晶振晶體中的方位不同,原子面的間距不同,原子在原子面上的分布不同,相應(yīng)的物理性質(zhì)也不同。因此,我們用原子面指數(shù)來(lái)表示該族原子面的方位,代表該族原子面。為了表明各個(gè)原子面,一般采用原子面指數(shù)(hk)表示,只有三角晶系和六角晶系才采用原子面指數(shù)(hki1)表示,現(xiàn)分別介紹如下。

一、一般晶系原子面指數(shù)表示法

從幾何學(xué)中知道要描述一個(gè)平面的方位,就要選一個(gè)坐標(biāo)系,然后標(biāo)出這個(gè)平面在此坐標(biāo)軸上的截距,或標(biāo)出這個(gè)平面的法線在此坐標(biāo)系中的方向余弦,描述原子面的方位也是如此。選某一原子(或離子、分子)的重心為坐標(biāo)原點(diǎn),以晶胞的三個(gè)邊a、b、c(即晶軸)為坐標(biāo)系,但應(yīng)注意：

(1)由貼片晶振晶軸組成的坐標(biāo)系不一定是直角坐標(biāo)系

(2)晶軸上的長(zhǎng)度單位分別為晶格常數(shù)a、b、c,所以截距的數(shù)值是相應(yīng)晶格常數(shù)的倍數(shù)。

例如M1、M2、M3原子面與三個(gè)晶軸分別交于M1、M2、M3點(diǎn),如圖1.2.3所示,三個(gè)截距為

圖1.2.3(236)原子面

知道了原子面在坐標(biāo)中的截距,就等于知道原子面在晶體中的方位,所以也可用截距p、q、r來(lái)標(biāo)志原子面,但由于原子面與某晶軸平行時(shí)相應(yīng)的截距為無(wú)限大,為了避免出現(xiàn)無(wú)限大,改用截距倒數(shù)的互質(zhì)比。

來(lái)標(biāo)記原子面,為了簡(jiǎn)化常略去比例記號(hào),采用(hk)表示,(hk)就稱為原子面指數(shù)(或晶面指數(shù)、密勒指數(shù)),例如圖1.2.3中原子面指數(shù)為(2,3,6)即：

有時(shí)也稱MM2M3平面為(2,3,6)原子面,圖1.2.4中標(biāo)出了一些簡(jiǎn)單的原子面指數(shù),因?yàn)?b>有源晶振,石英晶振晶軸有正向、負(fù)向之分,所以原子面指數(shù)也有正、負(fù)之分,通常將負(fù)號(hào)寫在指數(shù)的上面,例如(010)原子面,就表示原子面與a軸、c軸平行,與b軸的截距為-b。

圖1.24一些簡(jiǎn)單的原子面指數(shù)

六角晶系和三角晶系原子面指數(shù)表示法上述原子面表示法可用于全部晶系,具有普遍性,但在六角晶系中采用四個(gè)晶軸的坐標(biāo)系比較方便,四個(gè)晶軸中的a、b、d、軸在同一平面上,互成120°0,夾角,c軸則與此平面垂直。原子面指數(shù)(hk1)中h、k、i、l則分別對(duì)應(yīng)于a、b、d、c軸截距倒數(shù)的互質(zhì)比。例如,某原子面與四個(gè)晶軸分別交于M1M2M3M4點(diǎn),如圖1.2.5所示四個(gè)截距為

OM2=pa=4a

OM2=qb=4b

OM3=rc=2c

OM4=td=-2d

圖1.2.5(1122)原子面

這些截距倒數(shù)的互質(zhì)比為

可見(jiàn)圖M1M2M3M4面的原子面指數(shù)為 (1122)。

圖12.2表示六角晶胞的原子面指數(shù),圖1.2.5表示右旋石英晶振,石英晶體的部分原子面指數(shù),從這些的原子面指數(shù)中可以看出:

(1)存在這樣的規(guī)律,即h+k+i=0。這就是說(shuō),在h,k,i中,只要知道其中兩個(gè)即可確定第三個(gè),利用這種關(guān)系,有的資料中把原子面指數(shù)(h k i l)簡(jiǎn)寫為(h k l)。

(2)通過(guò)(hkiD)原子面的前三個(gè)指數(shù)h,k,i全部排列,可得六個(gè)原子面,這六個(gè)原子面與z軸平行,X射線的反射角(即掠射角) θ相同。其物理性質(zhì)也相同。如(1010)原子面,將前三個(gè)指數(shù)全部排列,即得六個(gè)原子面為(1010),(1100),(0110),(100),(0110),(1010)這就是石英晶體的六個(gè)m面。

(3)通過(guò)對(duì)(hki1)原子面的三個(gè)指數(shù)h,k,l全排列,以及將第四個(gè)指數(shù)l(l0)變號(hào)后再排序,可得十二個(gè)原子面,根據(jù)晶體的對(duì)稱性發(fā)現(xiàn)這十個(gè)原子面可分為二組,每組六個(gè)原子面,同一組原子面的性質(zhì)完全相同例如:(1011)原子面,將前三個(gè)的指數(shù)全排列,即得六個(gè)原子面為(101i),(1101),(0111),(1101),(011),(1011)將第四個(gè)指數(shù)變號(hào)后,再全排列,又得六個(gè)原子面為(1011),(101),(011),(1101),(0111),(1011)將這十二個(gè)原子面分成兩組,前三個(gè)和后三個(gè)原子面為一組,中間六個(gè)原子

面為一組,即:

甲組:(1011),(1101),(0111),(1101),(0111),(1011)

乙組:(1101),(011),(1011),(1011),(1101),(01)

將這些結(jié)果與圖1.2.6比較,即可看出,甲組原子面就是石英晶體中的六的R面,乙組原子面就是石英晶體中的六個(gè)r面

(a)右旋石英晶體(b)上部R面和r面(c)下部R面和r面

圖1.2.6右旋石英晶體的原子面指數(shù)

石英晶體的密度為265g/cm3,莫氏硬度為7,透明晶瑩。在常溫常壓下,石英晶體不溶于水和三酸(鹽酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)屬于溶解度極小的物質(zhì)。但在高溫高壓下,再加入適量助溶劑,如碳酸鈉(Na2CO3)或氫氧化鈉(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。這個(gè)特點(diǎn)被用于石英晶體的人工培育。

氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4F)與氟化氫銨(NH4HF2)是石英貼片晶振,石英晶體良好的溶解液,這在石英晶片加工中是很有用的。石英晶體是一種良好的絕熱材料,導(dǎo)熱系數(shù)比較小(見(jiàn)表1.3.1)

表1.3.1石英晶體的導(dǎo)熱系數(shù)

室溫附近,沿z軸方向的導(dǎo)熱系數(shù)是沿垂直于z軸方向?qū)嵯禂?shù)的二倍左右與z軸成q角的任一方向的導(dǎo)熱系數(shù)可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z軸的導(dǎo)熱系數(shù),K3是平行于z軸的導(dǎo)熱系數(shù)石英晶體的膨脹系數(shù)也很小,且沿z軸方向的線膨脹系數(shù)a3約為沿垂直于z軸方向線膨脹系數(shù)a1的1/2(見(jiàn)表1.3.2)。

表1.3.2石英晶體的線膨脹系數(shù)值

若已知a1和a3,由下式可求出與Z軸成φ角的任一方向的線膨脹系數(shù)aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室溫附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得體膨脹系數(shù)ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶體的熱膨脹系數(shù)較小,因此可用于精密儀器中。但當(dāng)它被加熱時(shí), 體膨脹系數(shù)會(huì)發(fā)生很大變化。在溫度達(dá)573℃時(shí),石英晶體由a石英晶體轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>B石英,體積急劇增大。石英晶體諧振器內(nèi)部產(chǎn)生的較強(qiáng)的機(jī)械應(yīng)力可能會(huì)造成裂隙和雙晶,這是在石英晶體元件的加工中要注意避免的。

石英晶體還是一種良好的絕緣體,其電阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p為電阻率,T為絕對(duì)溫度,e為自然對(duì)數(shù)的底,A等于1.15×104B為相應(yīng)的常數(shù)。平行于z軸方向的B=3000,垂直于z軸方向的B為平行于z軸方向的1/80。B值除與晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)外,還與沿z軸方向孔道中堿金屬雜質(zhì)(K+、Na+)的存在有關(guān)。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體在不同溫度下的電阻率,單位為ohm. cn。

表1.3.3石英晶體在不同溫度下的p(ohm.cm)

石英晶體介電常數(shù)(描述材料介電性質(zhì)的量,是電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E的一個(gè)比例系數(shù))的各向異性不很明顯,平行于z軸的介電常數(shù)ε3=4.6,垂直于z軸的介電常數(shù)ε1=4.5。在電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)發(fā)熱而消耗的能量叫介質(zhì)損耗,通常以損耗角的正切值(tg6)來(lái)表示其損耗的大小。有源晶體振蕩器,比如溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,有源石英晶體的介質(zhì)損耗較小,tg6<2×10-4因此用它作電氣材料具有高穩(wěn)定性。

石英晶體雖不像諸如彈簧、橡皮筋那樣的物體,振動(dòng)日時(shí)能看到明顯地形變,但是它仍然服從彈性定律(胡克定律),并且可以通過(guò)全息照相看到它形變的情況。當(dāng)然,石英晶體的形變更復(fù)雜些,描述更困難些,這將在第二章中進(jìn)一步講述。

某些電介質(zhì)由于外界的機(jī)械作用(如壓縮、拉伸等)而在其內(nèi)部發(fā)生變化產(chǎn)生表面電荷,這種現(xiàn)象叫壓電效應(yīng)。具有壓電效應(yīng)的電介質(zhì)也存在逆壓電效應(yīng),即如果將具有壓電效應(yīng)的介質(zhì)置于外電場(chǎng)中,由于電場(chǎng)的作用,會(huì)引起介質(zhì)內(nèi)部正負(fù)電荷中心位移,而這位移又導(dǎo)致介質(zhì)發(fā)生形變,這種效應(yīng)稱為逆壓電效應(yīng)。

正像某些其它晶體(如酒石酸鉀鈉KNaC4H4O6.4H2O、鈦酸鋇 BaTio3等等)那樣,貼片有源晶振,石英晶體也具有壓電效應(yīng)。由于其結(jié)構(gòu)的特殊性,不是任何方向都存在壓電效應(yīng)的,只有在某些方向,某些力的作用下才產(chǎn)生壓電效應(yīng)。

例如:當(dāng)石英晶體受到沿x軸方向的力作用時(shí),在x方向產(chǎn)生壓電效應(yīng),而y、z方向則不產(chǎn)生壓電效應(yīng),當(dāng)石英晶體受到沿y軸方向的力作用時(shí),在x方向產(chǎn)生壓電效應(yīng),而y、z方向也不產(chǎn)生壓電效應(yīng)。若受到沿z軸方向的力作用時(shí),是不產(chǎn)生壓電效應(yīng)。因此又稱x軸為電軸,y軸為機(jī)械軸。利用石英晶體的壓電效應(yīng)可制造多種高穩(wěn)定性的頻率選擇和控制元件,這將在以后各章逐步講述。

石英晶體也與其它一些物質(zhì)(如方解石CaCO3、硝酸鈉NaNO3晶體等)那樣具有雙折射現(xiàn)象,即一束光射入石英晶體時(shí),分裂成兩束沿不同方向傳拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做尋常光或稱“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非尋常光,又稱“e”光,如圖1.3.1所示,尋常光在石英晶體內(nèi)部各個(gè)方向上的折射率mo是相等的,而非尋常光在石英晶振,石英晶體的內(nèi)部各個(gè)方向的折射率n0卻是不相等的。

例如:對(duì)于波長(zhǎng)為5893A的光,石英晶體的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶體雖然具有雙折射現(xiàn)象,但當(dāng)光沿z軸方向入射時(shí),不發(fā)生雙折射現(xiàn)象,所以又稱z軸為光軸石英晶體還具有旋光性。即平面偏振光(光振動(dòng)限于某一固定方向的光)沿z軸方向通過(guò)石英晶體后,仍然是平面偏振光,但其振動(dòng)面卻較之原振動(dòng)面旋轉(zhuǎn)了一個(gè)角度。

圖1.3.1石英晶體的雙折射

石英晶體的光學(xué)性質(zhì)被應(yīng)用到制造各種光學(xué)儀器和石英片加工工藝中。

從六十年代起開展了石英晶體,SMD晶振元件輻射效應(yīng)的研究工作,在此做一些簡(jiǎn)單的介紹。

由于宇宙射線的輻照和核武器爆炸,地球周圍存在高能粒子和y射線、X射線等輻射。這些輻射對(duì)石英晶體及其器件都有很大的影響,無(wú)色透明的石英晶體經(jīng)放射線照射后會(huì)變?yōu)闊熒?/span>,石英晶體元件被輻照后,會(huì)使頻率發(fā)生變化,穩(wěn)定性下降,等效電阻升高。

一般認(rèn)為,石英晶體被γ射線和高能粒子轟擊后,會(huì)產(chǎn)生結(jié)構(gòu)空穴和色心,這是由于堿金屬離子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶體抗輻射的能力,首先要減少和消除有源恒溫晶振,差分晶振,石英晶體中的上述雜質(zhì)。

一方面選擇最佳籽晶和生長(zhǎng)條件;另一方面可使用“電清除”的方法驅(qū)逐晶體中的雜質(zhì)。有人做過(guò)這樣的實(shí)驗(yàn):用z向厚度為1cm的樣片,加溫到450~470℃,加電壓1500-1700V/cm,通過(guò)晶體的電流為250μA,20分鐘后則降為20μA,這時(shí)在負(fù)極表面出現(xiàn)由堿金屬雜質(zhì)形成的乳白色薄層。顯然,這是一種高溫、高壓排除晶體中金屬離子等雜質(zhì)的工藝過(guò)程。經(jīng)過(guò)這種“電清除”的人造石英晶體制成的石英晶體元件就具有良好的抗輻射性能。

  石英晶體的介電性質(zhì),大家知道,金屬可以導(dǎo)電,這是因?yàn)榻饘僦写嬖谥杂呻娮?/span>,在電場(chǎng)的作用下,這些自由電子被迫作定向運(yùn)動(dòng)而形成電流。然而,電介質(zhì)是不能導(dǎo)電的,這是因?yàn)殡娊橘|(zhì)中的電子(稱束縛電子)被原子核束縛得很緊,在一般電場(chǎng)作用下,束縛電子的位置只能作很小的移動(dòng)。這種移動(dòng)造成介質(zhì)中的正、負(fù)電荷中心不重合而產(chǎn)生極化,所以電介質(zhì)只能以極化方式傳遞電的作用。本節(jié)要介紹石英晶振晶體電介質(zhì)的極化性質(zhì)及其所遵循的電學(xué)規(guī)律。

一、電介質(zhì)的極化和極化強(qiáng)度

如圖2.1.1(a)所示的電介質(zhì)中,介質(zhì)的兩面已被敷金屬電極,當(dāng)電場(chǎng)等于零時(shí),介質(zhì)中的正、負(fù)電荷中心重合,介質(zhì)處于電中性。當(dāng)電場(chǎng)不等于零時(shí),在電場(chǎng)的作用下,介質(zhì)中的正、負(fù)電荷中心不再重合,并形成許多電偶極矩,于是介質(zhì)產(chǎn)生極化,如圖2.1.1(b)所示。因這些電偶極矩頭尾相銜接,故可畫成如圖2.1.1(c)所示的情況,在介質(zhì)與電極的分界面上分別出現(xiàn)正、負(fù)極化電荷(即正、負(fù)束縛電荷)。電偶極矩的方向規(guī)定為從負(fù)極化電荷指向正極化電荷,電偶

(a)E=0時(shí),介質(zhì)處于中性狀態(tài)()E≠0時(shí),介質(zhì)產(chǎn)生極化(c)介質(zhì)極化示意圖

圖2.1.1電介質(zhì)極化示意圖

極矩的大小等于ql,其中l為正、負(fù)極化電荷之間的距離,q為極化電荷。如果以p表示電偶極距,即可寫成

p=ql                           (2.1.1)

為了描述電介質(zhì)的極化強(qiáng)度,現(xiàn)引入極化強(qiáng)度的概念。極化強(qiáng)度P等于單位，體積(△V=1)內(nèi)的電偶極矩的矢量和,即

p=                            (2.1.2)

由式(2.1.2)可以得到,石英貼片晶振電介質(zhì)的極化電荷面密度極與該處極化強(qiáng)度的法向量Pn之間的關(guān)系為

σ極=Pn           (2.1.3)

二、各向異性介質(zhì)中極化強(qiáng)度P,電位移D和電場(chǎng)強(qiáng)度E之間的關(guān)系,晶體都是各向異性體,對(duì)于完全各向異性電介質(zhì)(如三斜晶系),實(shí)驗(yàn)上發(fā)現(xiàn),D、E、P的方向彼此不同,但關(guān)系式D=6oE+P依然成立。P與E的關(guān)系和D與E的關(guān)系分別為

式中;比例系數(shù)x稱為介質(zhì)的極化率(或極化系數(shù))。e稱為介電常數(shù)(F/m); ε/ε0稱為相對(duì)介電常數(shù)。εo為真空介電常數(shù)

ε0=8.85×10-12F/m。

由式(2.1.4)和(2.1.5)可以看出,各向異性電介質(zhì)的極化率有9個(gè)分量,介電常數(shù)也有9個(gè)分量.

在物理上,按照式(2.1.4)和(2.1.5)的形式,用9個(gè)分量來(lái)反映二個(gè)矢量之間關(guān)系的物理量,稱為二級(jí)張量。在數(shù)學(xué)上,常用矩陣形式來(lái)表示張量。

極化率的矩陣表示式為:

完全各向異性電介質(zhì)的極化率和介電常數(shù)都是6個(gè)獨(dú)立分量,它們的數(shù)值由材料的介電性質(zhì)所確定。

三、介電常數(shù)

我們已經(jīng)知道,描寫各向同性介質(zhì)只要一個(gè)介電常數(shù),而描寫完全各向異性的電介質(zhì)則需要六個(gè)獨(dú)立的介電常數(shù)分量。石英晶振,有源晶振,石英晶體屬于三斜晶系32點(diǎn)群,它是介于各向同性和完全各向異性之間的晶體。根據(jù)它的對(duì)稱性,可得到石英晶體的介電常數(shù)矩陣為：

由式(2.1.9)可以看出,石英晶振晶體不等于零的介電常數(shù)分量共3個(gè),其中獨(dú)立分量2個(gè),即ε11=ε22和ε33,ε12=ε13=ε23=0。石英晶體相對(duì)介電常數(shù)的數(shù)值為

因?yàn)楦飨虍愋噪娊橘|(zhì)的介電常數(shù)與方向有關(guān),所以坐標(biāo)變換時(shí),相應(yīng)的介電常數(shù)分量也發(fā)生變化。例如:繞x軸旋轉(zhuǎn)某一角度q1的新坐標(biāo)系Oxyz中

(見(jiàn)圖2.1.2)。

圖2.1.2繞x軸旋轉(zhuǎn)q1角度后,新、舊座標(biāo)之間的關(guān)系

石英晶體的介電矩陣為:

知道φ1角后,即可通過(guò)式(2.1.11)求得所需的介電常數(shù)分量εkl

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     愛(ài)普生晶振最初打入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)是因?yàn)榻邮芰酥袊?guó)蘇州政府的招商引資,1996年2月在蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

     億金電子生產(chǎn)銷售石英貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷晶振等頻率元件,自成立以來(lái)誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),精益求精為用戶創(chuàng)造質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的晶振產(chǎn)品.同時(shí)代理EPSON晶振,NDK晶振等品牌.以下為億金免費(fèi)提供的愛(ài)普生FC-135貼片晶振FC-135-32.7680KA-AC晶振編碼對(duì)照列表.3.2x1.5mm的體積,溫度可達(dá)-40°C ~ 85°范圍,歡迎收藏.

     日本愛(ài)普生晶振在國(guó)內(nèi)擁有超高人氣,為廣大工廠企業(yè)指定晶振供應(yīng)商.愛(ài)普生32.768K晶振FC-135晶振,Q13FC1350000400晶振,MC-146晶振體積小,精度高,可謂是小型化智能產(chǎn)品的最佳選擇,并且具有多種負(fù)載12.5PF,7PF,6PF等多種選擇,同時(shí)提供精度范圍10PPM~30PPM以內(nèi),具有高品質(zhì),使用可靠性高等特點(diǎn).

  億金電子代理康納溫菲爾德晶振,通過(guò)自身的經(jīng)驗(yàn)積累以及先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備,不斷創(chuàng)新,開發(fā)高性能,多元化石英晶振.康納溫菲爾德晶振在所有層面上都致力于滿足石英晶振,貼片晶振, 溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等客戶的所有要求,通過(guò)維護(hù)我們的ISO 9001質(zhì)量體系認(rèn)證,持續(xù)改進(jìn)我們的流程是我們不斷超越客戶期望的承諾.

  ?？怂故⒕д癫捎脽o(wú)鉛無(wú)害材料生產(chǎn),并且符合歐盟ROHS環(huán)保指令.FOX石英晶振所做產(chǎn)品均符合國(guó)際質(zhì)量管理體系認(rèn)證,并獲得美國(guó)UL,C-TPAT認(rèn)證, 國(guó)際QS-9000,ISO-9001:2008,TS16949:02,ISO14001諸多品質(zhì)認(rèn)證.

    億金電子提供FOX石英晶體2016,2520,7050封裝FX252BS-20.000晶振部分型號(hào)編碼.型號(hào)包括C7BQ晶振,FX252B晶振,FX216B晶振等,體積從2016mm貼片晶振~7050mm貼片晶振.均為4腳焊接模式,精度從30PPM~50PPM范圍.
    FOX貼片晶振無(wú)源系列負(fù)載電容從8PF~20PF可供用戶選擇,滿足不同領(lǐng)域產(chǎn)品需求.FOX石英晶體諧振器具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),被廣泛用于無(wú)線通信設(shè)備,智能家居,數(shù)碼電子,GPS導(dǎo)航,筆記本,藍(lán)牙,無(wú)人機(jī),航空設(shè)備等.

    CTS晶振集團(tuán)中文名為西迪斯晶振,成立于1896年,主要以生產(chǎn)貼片晶振,石英晶振,貼片有源晶振,石英晶體振蕩器等電子元件.自發(fā)展以來(lái)不斷提高生產(chǎn)技術(shù),不斷退出高品質(zhì),高性能石英貼片晶振,以滿足市場(chǎng)不同領(lǐng)域需求.

    CTS石英晶體振蕩器各種封裝尺寸,2016mm貼片晶振~7050mm貼片晶振對(duì)應(yīng)不同產(chǎn)品體積要求,低電源電壓1.8V~5V可選用,并且溫度可達(dá)汽車級(jí)范圍-40℃~125℃之間.即使在高溫,潮濕,粉塵等惡劣環(huán)境中依舊能夠保持30PPM高精度.

    西迪斯晶振采用符合國(guó)際環(huán)保ROHS指令的材料,采用ISO9002國(guó)際質(zhì)量管理體系進(jìn)行生產(chǎn),CTS晶振滿足高溫回流焊接的溫度曲線要求,具有耐高溫,耐惡劣環(huán)境,耐撞擊性強(qiáng)等特點(diǎn).

  西鐵城石英晶振自發(fā)展以來(lái)不斷開發(fā)新技術(shù)為工程技術(shù)和工業(yè)市場(chǎng)提供高性能和精密設(shè)備.并且提供2016mm貼片晶振,2520貼片晶振,3225mm貼片晶振,5032mm貼片晶振,6035mm貼片晶振,7050mm貼片晶振等多封裝尺寸選擇.電壓從1.8V~5V范圍選用.以下為億金電子所提供的7050封裝5V西鐵城有源晶振SSX-750PCC10000000T晶振編碼.