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首頁 精工晶振

精工晶振,32.768K,SC-20S晶振,Q-SC20S03220C5AAAF晶振

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產(chǎn)品簡介

工作溫度:-40℃~+85℃

保存溫度:-55℃~+125℃

負(fù)載電容:12.5pF

晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

yijin-1

YJ-1

精工晶振,石英晶體諧振器,SC-20S晶振.運(yùn)用通過制造鐘表所積累的精密加工技術(shù),我們還提供石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,精密切削零件產(chǎn)品,石英晶振被廣泛的應(yīng)用于硬盤驅(qū)動器零件、醫(yī)療器械、照相機(jī)、電機(jī)和手機(jī)等各種領(lǐng)域。精工愛普生株式會社精工晶振永恒不變主體就是,依靠“覺得可靠的質(zhì)量”讓顧客得到放心和滿足。
精工32.768K鐘表晶振,貼片晶振,石英晶體諧振器具有小型、低功耗和高性能的特點(diǎn)。在數(shù)碼家電、汽車、產(chǎn)業(yè)用設(shè)備等廣泛領(lǐng)域中,為最終產(chǎn)品的性能提升做出了貢獻(xiàn)。“永遠(yuǎn)領(lǐng)先時(shí)代一步”這一創(chuàng)業(yè)的經(jīng)營態(tài)度一直支持著精工的創(chuàng)新和飛躍。2014年,精工祈愿在這種領(lǐng)先精神的基礎(chǔ)上,帶著“期待和激動”與所有利益相關(guān)者共創(chuàng)、共享這充滿希望的新時(shí)代。
SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫,也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商,同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件,在石英振子這一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能夠與日本精工晶振全球同等級競爭的,只有日本大真空KDS。精工晶振,石英晶體諧振器,SC-20S晶振

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YJ-2

精工晶振

單位

SC-20S晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF、9pF、12.5pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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YJ-3

SC-20S 2012

yijin-4

YJ-4

操作
請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用SC-20S晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致SC-20S貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時(shí)間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。精工晶振,石英晶體諧振器,SC-20S晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致SC-20S手機(jī)晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。

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