臺灣津綻NSK晶體主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振蕩子即：石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振蕩器 (SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振蕩器 (SMD晶振 VCXO壓控晶振).
臺灣津綻NSK晶體科技股份有限公司擁有超過 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術(shù)支持,提供使用者最佳的解決方案及最好的服務(wù)質(zhì)量.NSK是津綻石英科技股份有限公司于全球的銷售品牌,具有良好競爭性的價(jià)格及靈活快速的交貨管理.
臺灣津綻NSK晶體的石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體產(chǎn)品被廣泛地運(yùn)用在個人計(jì)算器、安全系統(tǒng)、通訊、無線應(yīng)用、遙控單元和消費(fèi)性電子產(chǎn)品等,并已陸續(xù)獲得國內(nèi)外計(jì)算機(jī)及通訊大廠認(rèn)可及使用.
臺灣津綻NSK晶體科技是專業(yè)的石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振制作商,公司創(chuàng)于臺灣1996年成立,創(chuàng)建品牌為【NSK】1997年在香港成立分公司,1998年在深圳成立分部,2001年到廣東省東莞市投資建廠,主要生產(chǎn)石英晶體諧振器,無源晶振,與石英晶體振蕩器,有源晶振,東冠生產(chǎn)線主要生產(chǎn)小尺寸SMD晶體系列.
NSK已獲得ISO 9001 / ISO 14001的質(zhì)量和環(huán)保認(rèn)證,產(chǎn)品并通過及符合RoHS規(guī)范的要求,且確實(shí)配合客戶實(shí)現(xiàn)無毒產(chǎn)品的要求,以創(chuàng)造及維護(hù)美好環(huán)境為己任.
津綻晶振公司是世界領(lǐng)先的頻率控制組件制造商：石英晶體、石英晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器的主要和關(guān)鍵的電子產(chǎn)品的一部分.津綻為客戶提供高質(zhì)量的晶體組件在電子產(chǎn)品的廣泛使用,例如,無線、電信、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、GSM等通信設(shè)備.津綻一直支持臺灣與國際客戶提供質(zhì)量晶體超過10年.
津綻晶振,石英晶振,NXF 3-9晶振,插件圓柱晶振系列為滿足市場不同產(chǎn)品對精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶也可以分為在精度上分為正偏差以及負(fù)偏差.音叉型表晶在產(chǎn)品中使用溫度范圍可以達(dá)到—20°到+70°的寬溫要求.插件晶振系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品中.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
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NSK晶振規(guī)格 |
單位 |
NXF 3-9晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.5795M~160MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-20°C ～ +70°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ～ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10pF~32pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NSK晶振時應(yīng)注意以下事項(xiàng):
安裝時的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4).
彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時,導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時,務(wù)必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).
如果直接在外殼部位焊接,會導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時,不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進(jìn)行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).津綻晶振,石英晶振,NXF 3-9晶振
Sitime晶振,SiT8002AA晶振,高精密貼片晶振
愛普生晶振,貼片晶振,MA-505晶振,MA-506晶振,MA-505 40.0000M-C0:ROHS
KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振
西鐵城晶振,圓柱晶振,CSA-310晶振,CSA-309晶振,CSA310-4.000MABJ晶振