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首頁 KDS晶振

KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振

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產(chǎn)品簡介

圓柱音叉型石英晶體諧振器產(chǎn)品具有以下幾種規(guī)格,∅3*8,∅2*6,圓柱晶振具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產(chǎn)品使用溫度高溫可達到+80℃低溫可達到-30℃,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到比較高端的汽車電子產(chǎn)品,民用產(chǎn)品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產(chǎn)品.

產(chǎn)品詳情

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1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).

1973年開設(shè)kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產(chǎn)晶體管.

1974年開設(shè)川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.

1976年開設(shè)宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應(yīng)晶體諧振器.

1980年開設(shè)鳥取工廠(目前鳥取生產(chǎn)部)對晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開始生產(chǎn)石英晶體濾波器和晶振時鐘.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設(shè)德島工廠(目前德島生產(chǎn)部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設(shè)備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器(VCXO.

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區(qū)銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產(chǎn)晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標(biāo)準化組織質(zhì)量管理標(biāo)準).

1998(獲得QS9000質(zhì)量標(biāo)準/汽車質(zhì)量保證管理體系.

2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標(biāo)準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術(shù)規(guī)范由國際標(biāo)準化組織).

2003擴大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿(mào)易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務(wù).

2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節(jié)上市.

日本株式會社大真空KDS晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.

消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應(yīng).

對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.

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KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,日本進口貼片晶振品牌【EPSON】日本愛普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西鐵城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列,在當(dāng)今全球晶振市場說的上是質(zhì)優(yōu)價廉,產(chǎn)品本身外觀是多種化,體積有大有小,有二個腳SMD焊接模式,也有三個腳SMD焊接模式,一樣有四個腳焊接模式,還有時鐘模塊焊接模式,產(chǎn)品具有無源32.768KHZ,也有帶電壓模式的32.768KHZ晶體系列,產(chǎn)品應(yīng)用范圍非常廣闊,比如多種電子消費類,手機應(yīng)用,藍牙多功能播放器,無線通訊產(chǎn)品,平板電腦等多個領(lǐng)域,32.768KHZ晶體本身外觀款式多元化,所以適合多個產(chǎn)品應(yīng)用.并且滿足歐盟ROHS環(huán)保要求,晶體本身有重量輕,體積小,超薄型等多種優(yōu)勢,得到市場認可.

石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT .其它切型還有 CT、DT、GT、NT .超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.

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KDS晶振規(guī)格

單位

AT-38晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準頻率

f_nom

3.579M~28MHZ

標(biāo)準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-30°C +80°C

標(biāo)準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF,10pF,12pF

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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AT-38 49yijin-4在使用KDS晶振時應(yīng)注意以下事項:

插件型晶振安裝注意事項:

安裝時的注意事項導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).

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修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導(dǎo)腳,如果強制地拔出導(dǎo)腳,會引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).

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彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進行焊接時,導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時,務(wù)必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).

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如果直接在外殼部位焊接,會導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時,不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振

焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導(dǎo)腳部位進行加熱,會導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).

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