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日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎于1948年成立.

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社所說的LCA指的是“生命周期評估”,它包括評估產(chǎn)品的壽命.在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開采階段,包括產(chǎn)品的制造階段,銷售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護參與它,和處置階段,通過用戶廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置.在ISO14000系列環(huán)境標準中也建立了國際標準.

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社超低電壓驅(qū)動的CO2排放量（0.8V ~）型時鐘振蕩器（nz2520sf）采用最先進的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開發(fā)（2700系列）是由環(huán)境LCA技術(shù)相比.二氧化碳排放量的計算量的部分制造,產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗,以及產(chǎn)品運輸?shù)娜剂舷牧?/span>.所采用的分析方法是“現(xiàn)場類型”,研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗,然后從產(chǎn)品的總金額,每產(chǎn)品的功耗.

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NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

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NDK晶振規(guī)格	單位	NX5032SA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	11.0592MHZ~40MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +75°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	10PF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

NDK晶振規(guī)格	單位	NX5032SD晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	9.75MHZ~40MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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NX5032SA晶振尺寸圖:

NX5032SD晶振尺寸圖:

NX5032SD-5.0_3.2

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在使用NDK晶振時應注意以下事項:

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶振引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C