壓控晶體振蕩器,GVXO-753D晶振,Golledge有源晶振,7050振蕩器,GVXO-753D/SC 16.576MHZ

產(chǎn)品簡介

壓控晶體振蕩器,GVXO-753D晶振,Golledge有源晶振,7050振蕩器,GVXO-753D/SC 16.576MHZ GVXO - 753D 屬于有源晶振，內(nèi)部集成了振蕩電路，無需額外的復(fù)雜電路來啟動和維持振蕩。這不僅簡化了電路板的設(shè)計，減少了外圍元件的使用，還提高了晶振的工作效率和穩(wěn)定性。有源設(shè)計使得晶振能夠直接輸出穩(wěn)定、高質(zhì)量的時鐘信號，為電子設(shè)備提供更可靠的驅(qū)動源。Golledge晶振在晶振制造領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗和良好的聲譽。其嚴格的生產(chǎn)工藝和質(zhì)量檢測流程，確保了每一顆 GVXO - 753D/SC 晶振都能達到高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。無論是在高溫、低溫、潮濕等惡劣環(huán)境下，還是面對復(fù)雜的電磁干擾，該晶振都能保持穩(wěn)定的性能，為電子設(shè)備的長期可靠運行提供堅實保障。

產(chǎn)品詳情

yijin-1 壓控晶體振蕩器,GVXO-753D晶振,Golledge有源晶振,7050振蕩器,GVXO-753D/SC 16.576MHZ

這款壓控晶振采用 7050 封裝，這種標(biāo)準(zhǔn)化的封裝尺寸小巧且規(guī)范。一方面，便于在各類電路板上進行安裝，能夠適應(yīng)不同電子設(shè)備緊湊的內(nèi)部空間布局，滿足小型化、集成化的設(shè)計趨勢；另一方面，7050 封裝有利于實現(xiàn)自動化生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，使產(chǎn)品更具市場競爭力。
GVXO - 753D/SC 具備 16.576MHz 的精準(zhǔn)頻率輸出。在電子系統(tǒng)中，精確穩(wěn)定的時鐘信號是確保各個組件協(xié)同工作的基礎(chǔ)。無論是通信設(shè)備中的數(shù)據(jù)傳輸、計算機系統(tǒng)的指令執(zhí)行，還是工業(yè)自動化中的流程控制，該7050貼片晶振都能提供可靠的時間基準(zhǔn)，保證系統(tǒng)運行的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性，有效減少因頻率偏差導(dǎo)致的信號干擾和數(shù)據(jù)錯誤。
GVXO - 753D 屬于有源晶振，內(nèi)部集成了振蕩電路，無需額外的復(fù)雜電路來啟動和維持振蕩。這不僅簡化了電路板的設(shè)計，減少了外圍元件的使用，還提高了晶振的工作效率和穩(wěn)定性。有源設(shè)計使得晶振能夠直接輸出穩(wěn)定、高質(zhì)量的時鐘信號，為電子設(shè)備提供更可靠的驅(qū)動源。

yijin-2 壓控晶體振蕩器,GVXO-753D晶振,Golledge有源晶振,7050振蕩器,GVXO-753D/SC 16.576MHZ

Frequency range	1.50 ~ 54.0MHz
Dimensions	7.0 x 5.0 x 1.8mm
Package	4 pads, 5.08mm pitch
Voltage control	+1.65V ±1.50V, 10% linearity
Storage temperature range	-40 to +85°C
Supply voltage (VDD)	+3.3V (±10%)
Supply current	10mA max (1.5 ~ 20.0MHz)
	15mA max (>20.0 ~ 30.0MHz)
	20mA max (>30.0 ~ 40.0MHz)
	25mA max (>40.0MHz)
Driving ability	15pF CMOS輸出晶振
Logic levels	‘0’ level = 10%VDDmax
Logic levels	‘1’ level = 90%VDDmin
Waveform symmetry	45:55 max
Rise / fall time (10%~90%VDD)	10ns max (1.5 ~ 10.0MHz)
Rise / fall time (10%~90%VDD)	6ns max (>10.0MHz)
Phase noise	-130dBc/Hz typ @ 1kHz
Net mass	150mg

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壓控晶體振蕩器,GVXO-753D晶振,Golledge有源晶振,7050振蕩器,GVXO-753D/SC 16.576MHZ

所有石英晶振產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。

2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。