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首頁(yè) KDS晶振

日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSO213AW晶振

日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSO213AW晶振日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSO213AW晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

產(chǎn)品詳情

KDS-2

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過(guò)開發(fā)石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO晶振)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959113,正式注冊(cè)成立是在196358,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.

日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國(guó)內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國(guó)、英國(guó)、德國(guó),到中國(guó),新加坡,泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理,努力創(chuàng)造利潤(rùn),履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(KDS)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).

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日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSO213AW晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一.KDS晶振具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定.

yijin-2

KDS晶振項(xiàng)目

DSO213AW晶振符號(hào)

規(guī)格說(shuō)明

條件

輸出頻率范圍

f0

3MHz to 50MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.80 V to 3.3 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

yijin-3

DSO213AW_DSO221SW_DSO321SW

yijin-4

在使用日本大真空晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

晶振在工作中出現(xiàn)異常技術(shù)問(wèn)題:

這些晶振知識(shí)介紹是指,晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒(méi)反應(yīng)的情況下,自檢辦法.石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作,請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問(wèn)題.請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說(shuō)明.

我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開始尋找相關(guān)問(wèn)題.

我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英晶體終端的兩個(gè)信號(hào),如果沒(méi)有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-11-4步執(zhí)行檢查.如果有從石英晶振XOUT)的輸出端子的輸出信號(hào),而是從在終端(辛)輸出沒(méi)有信號(hào),請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6.

你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試晶振的頻率和負(fù)載電容,看看他們是否能振動(dòng),也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) .如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果.日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSO213AW晶振

如果有下列情況發(fā)生,晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì),是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析.如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試.

比如等效電路測(cè)試如下:

DXDL

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