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首頁 SiTimeCrystal晶振

Sitime晶振,石英晶體振蕩器,SiT8925B晶振

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產(chǎn)品簡介

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

產(chǎn)品詳情

SITIME-1

SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時間解決方案.我們的團(tuán)隊熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時間問題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過6.25億臺設(shè)備,占MEMS時間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.

在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計時元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.

Sitime晶振集團(tuán)的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學(xué).在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)辦SiTime之前,他們花了幾年時間在位于德國的博世和加州的帕洛阿爾托開發(fā)了拯救生命的MEMS解決方案.2005年成立以來,SiTime已經(jīng)開發(fā)了幾代先進(jìn)的kHz石英晶體和MHz MEMS諧振器,具有最高的性能、最低的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我們還開發(fā)了一個全面的開發(fā)和仿真平臺,確保所有MEMS諧振器的第一個硅成功.SiTimeMEMS諧振器不僅在我們銷售的每一種產(chǎn)品中都有,其他半導(dǎo)體公司在其SOCs中集成了SiTimeMEMS諧振器,以提供獨(dú)特的、高容量的解決方案,不需要外部時鐘.

yijin-1

Sitime晶振,石英晶體振蕩器,SiT8925B晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

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項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

115.2M~137MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料:http://www.gshqh.cn

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

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SiT8925B-2016 OSCyijin-4

在使用SITIME晶振時應(yīng)注意以下事項:

以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf
為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd
為限流電阻470Ω1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
3)振蕩期間測量R的值.
4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL.
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.Sitime晶振,石英晶體振蕩器,SiT8925B晶振

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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