Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器
頻率:80M~325MHZ
尺寸:5.0X7.0mm
1979年,在美國(guó)華盛頓州成立了Pletronics公司,主營(yíng)石英晶振,貼片晶振, 有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器等.
1981年Pletronics晶振公司在韓國(guó)建立了一家獨(dú)資工廠
1997年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:1994,符合歐盟環(huán)保要求.
2000年賣掉了韓國(guó)工廠.轉(zhuǎn)移到合同制造(鑄造廠)
2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
2002年通過BSI實(shí)現(xiàn)了ISO 9001:2000,符合歐盟環(huán)保要求,開發(fā)出高頻基本晶體
2003年Pletronics晶振公司在韓國(guó)和中國(guó)合資經(jīng)營(yíng)
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動(dòng),低電源電壓,低功耗等特點(diǎn).
2005年第一個(gè)合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動(dòng)等特點(diǎn).適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2007年合成振蕩器的合資企業(yè)建立
2008年為新興技術(shù)發(fā)布了重要的新產(chǎn)品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.
2009年發(fā)展過程和精密TCXO溫補(bǔ)晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器的初步試生產(chǎn)
2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術(shù)
2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無線電基站, 北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進(jìn)100fs超低抖動(dòng)的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器, 北斗導(dǎo)航溫補(bǔ)晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強(qiáng)TCVCXO壓控溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進(jìn)了50fS超低抖動(dòng)的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO).
Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場(chǎng)需求,實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
Pletronics晶振型號(hào) |
符號(hào) |
LV99D晶振 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
80~325MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更多晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶體振蕩器
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
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- 差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.
- TXC晶振,差分晶振,BA晶振,BA50070002晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.
晶振系列
日本進(jìn)口晶振
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