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Statek晶振,石英晶體諧振器,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振

頻率:6M~250MHZ

尺寸:8.38X3.94mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
訂購(gòu)熱線:0755-27876565
QQ咨詢 點(diǎn)擊這里給我發(fā)消息 Statek晶振,石英晶體諧振器,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振

STATEK-1

STATEK晶振公司在1970年開創(chuàng)了石英晶體,時(shí)鐘振蕩器的微小型技術(shù),給頻率控制行業(yè)帶來了革命性的變化.時(shí)至今日Statek公司依舊注重品質(zhì),專注服務(wù)不斷改進(jìn),致力于研發(fā)生產(chǎn)超薄,超小型石英晶振,貼片晶振,石英晶體,有源振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器以及傳感器等器件,產(chǎn)品均在美國(guó)研發(fā)設(shè)計(jì),制造,檢測(cè).

Statek晶振將水晶放置玻璃封裝以及陶瓷蓋封裝內(nèi),人造水晶相較于其他使用機(jī)械生產(chǎn)的水晶要小的多.所生產(chǎn)水晶元件具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),具有以下特點(diǎn):高穩(wěn)定性,頻率精準(zhǔn),保存溫度范圍廣,抗老化性能強(qiáng)等特點(diǎn).Statek石英晶振,晶體振蕩器具有小型化,低功耗,優(yōu)秀的耐沖擊性,抗氧化性佳等特點(diǎn).廣泛使用于全球GPS定位系統(tǒng),WLAN網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品,網(wǎng)絡(luò)控制器,無線基站,程控交換設(shè)備,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用,計(jì)算機(jī),全球GPS定位系統(tǒng),無線通訊,數(shù)碼產(chǎn)品等等.

yijin-1

Statek晶振,石英晶體諧振器,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

yijin-2

Statek晶振規(guī)格

單位

CX1HT晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

6MHZ~250MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

Statek晶振規(guī)格

單位

CX4HT晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

14MHZ~250MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

Statek晶振規(guī)格

單位

CX9HT晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

14MHZ~2500MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

CX1HT-4HT-9HT

yijin-4在使用Statek晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.Statek晶振,石英晶體諧振器,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4:粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

5:鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

yijin-5

YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone聯(lián)系人黃娜:18924600166

QQ工作QQ:857950243

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IQD晶振|HC49/3.5H晶振|LFXTAL078424Bulk|49S插件晶振,歐美進(jìn)口晶振,IQD晶振,HC49/3.5H無源晶振,石英晶振,LFXTAL078424Bulk晶振,49S插件晶振,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)鉛封裝,電阻焊接,在惰性氣體中密封,頻率16MHz,負(fù)載20pF,頻率容差30ppm,工作溫度范圍-10~70°C,高穩(wěn)定性晶振,低成本晶振,抗沖擊晶振,鍵盤鼠標(biāo)晶振,無線路由器晶振,調(diào)制解調(diào)器晶振,移動(dòng)電話晶振.

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