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ECS晶振,石英晶體諧振器,CSM-3X晶振,ECS-120-20-3X-EN-TR晶振

頻率：6M~40MHZ

尺寸：7.6x4.1mm

CSM-3X晶振具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27876565

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ECS晶振,石英晶體諧振器,CSM-3X晶振,ECS Inc.晶振集團是一家私人控股的全球領(lǐng)先企業(yè),在維護全球日益增長的高可靠性創(chuàng)新頻率控制設(shè)備需求方面處于領(lǐng)先地位.一流的研究公司和電子設(shè)備設(shè)計者,是全球領(lǐng)先的15家開發(fā)和生產(chǎn)創(chuàng)新頻率控制解決方案的石英晶體,貼片晶振,石英晶體振蕩器制造商,超過600家.ECS Inc晶振支持勞動力在香港、韓國、韓國、煙臺、中國和美國的生產(chǎn)設(shè)施和物流中心超過225家.

ECS晶振集團成為市場領(lǐng)導(dǎo)者提供創(chuàng)新、先進的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業(yè)、公用事業(yè)、導(dǎo)航、汽車、電子、航空航天和醫(yī)療與一流的制造行業(yè)的基于石英晶體/過濾器,時鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產(chǎn)品.ECS inc .以迅速擴大的市場部門的多元化產(chǎn)品基礎(chǔ),熱情關(guān)注客戶和市場趨勢,調(diào)動企業(yè)的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務(wù).

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國外進口晶振品牌中大多數(shù)的品牌都在慢慢減少生產(chǎn)49/SSMD系列產(chǎn)品了,因49/S系列體積大,很多電子產(chǎn)品接受小,而且生產(chǎn)過程中使用的材料也要比小型的貼片晶振多,況且現(xiàn)在小尺寸的貼片晶振產(chǎn)量遠遠大于49/S系列,所以生產(chǎn)這種的大體積成本就更高了.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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ECSInc晶振規(guī)格	單位	CSM-3X晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	6~40MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CSM-3X 7.6_4.1

在使用ECS晶振時應(yīng)注意以下事項：

產(chǎn)品設(shè)計人員在設(shè)計振蕩回路的注意事項

1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.

2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻.ECS晶振,石英晶體諧振器,CSM-3X晶振

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3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.

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CSM-3X晶振大體積貼片晶振 ECS晶振

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