京瓷晶振產(chǎn)品資源豐富,種類繁多,所生產(chǎn)的有源晶振包括：TCXO溫補(bǔ)晶振,OCXO恒溫晶振,VCXO壓控晶體振蕩器,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振,差分晶振,SPXO晶體振蕩器等.

  KYOCERA晶振采用無鉛無害材料生產(chǎn),符合歐盟ROHS環(huán)保要求,并且獲得ISO14001國際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證.以下表格為京瓷溫補(bǔ)晶振型號(hào)以及原廠代碼,供應(yīng)廣大用戶收藏查閱.

美國GEDcrystal公司是一家專注于研發(fā)制造大批量,高質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)和特殊定制電子器件制造商,包括合成器,OCXO振蕩器,VCXO晶振,TCXO晶振,VCTCXO壓控溫補(bǔ)晶振,DRO,頻率轉(zhuǎn)換器,時(shí)鐘晶體振蕩器,石英晶振,帶通/低通濾波器和便攜式信號(hào)發(fā)生器等.GEDcrystal提供低功耗,高精度,寬溫,高性能,低老化的產(chǎn)品以及完善的服務(wù)體系,美國GED晶振的經(jīng)營理念是超越客戶的期望.下面給大家介紹的是GEDcrystal生產(chǎn)全步驟解析圖.

晶片打磨

使用自動(dòng)搭接控制器和高級(jí)研磨化合物將水晶坯料研磨至精確厚度.

真空金屬沉積 

底部電鍍采用最先進(jìn)的S＆A5600蒸發(fā)器,采用低溫高真空系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)超潔凈和非常穩(wěn)定的金屬沉積.

混合振蕩器電路組件區(qū)域

包含半導(dǎo)體芯片,晶體管和二極管,電容器和電感器的陶瓷基板在內(nèi)部組裝.IC和基板上的互連采用GED引線鍵合功能-通過Al楔形鍵合或Au球鍵合.

最終頻率調(diào)整

使用S＆A5400S和S＆A5250系統(tǒng)進(jìn)行最終頻率調(diào)整.允許自動(dòng)最終將石英貼片晶振調(diào)整到1ppm以內(nèi).

密封

密封能力包括電阻凸焊,冷焊和焊縫.GED晶振密封完成.在超純干燥的氮?dú)夥罩?/span>,達(dá)到或超過MIL規(guī)范的密封性.GED晶振有密封性,使用陰離子泵在氮?dú)饣蛘婵罩械哪芰?/span>,以確保絕對(duì)沒有油分子的遷移進(jìn)入密封的氣氛.

溫度測(cè)試

GED設(shè)備可以測(cè)試晶體和有源晶振,晶體振蕩器.極端溫度從-55℃到125℃,它可以執(zhí)行所有頻率和電阻測(cè)量,從商業(yè)規(guī)格到軍用規(guī)格的溫度.

TCXO校準(zhǔn)區(qū)域

獨(dú)特的“一體化”TCXO晶振測(cè)試和校準(zhǔn)系統(tǒng)由GEDCrystal公司開發(fā).該系統(tǒng)縮短了交付周期并提高了晶振晶體生產(chǎn)率.

打標(biāo)

零件使用計(jì)算機(jī)標(biāo)記,帶金剛石筆尖或激光打標(biāo)的雕刻機(jī).將不同頻率的GED晶振進(jìn)行標(biāo)記,印上相對(duì)應(yīng)的頻率以及GED晶振的標(biāo)記.

最終測(cè)試和質(zhì)量控制

GED晶振對(duì)所有參數(shù)執(zhí)行100％測(cè)試和檢查,所有的石英貼片晶振和晶體振蕩器等.

晶振是智能電子數(shù)碼產(chǎn)品應(yīng)用最多的一種頻率元件,晶振可以分有源晶振和無源晶振,億金電子接下來要給大家所介紹到的是有源晶振.有源晶振根據(jù)不同產(chǎn)品性能需求歸為TCXO溫度補(bǔ)償晶振,VCXO電壓控制晶振,OCXO恒溫控制晶振,SPXO時(shí)鐘晶體振蕩器,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)晶振,LVDS輸出差分晶振等.下面單獨(dú)講下適用于定義固定頻率壓控晶振的特性

VCXO晶振（壓控晶體振蕩器）是一種晶體振蕩器,它包括變?nèi)荻O管和相關(guān)電路,允許通過在該二極管上施加電壓來改變頻率.這可以通過簡單的時(shí)鐘或正弦波晶體振蕩器,TCXO（產(chǎn)生TC/VCXO-溫度補(bǔ)償電壓控制晶體振蕩器）或烤箱控制類型（產(chǎn)生OC/VCXO恒溫箱控制的電壓晶體振蕩器）來實(shí)現(xiàn).

VCXO晶振有幾個(gè)特點(diǎn).在生成VCXO壓控晶體振蕩器規(guī)范時(shí),這些適用于定義固定頻率晶體振蕩器的特性.VCXO特有的規(guī)范中的主要內(nèi)容如下：

偏差-這是控制電壓變化引起的頻率變化量.例如.5伏控制電壓可能導(dǎo)致100ppm的偏差,或0至+5伏控制電壓可能導(dǎo)致150ppm的總偏差.

控制電壓-這是施加到VCXO輸入端子的變化電壓,導(dǎo)致頻率變化.它有時(shí)被稱為調(diào)制電壓,特別是如果輸入是AC信號(hào).

傳遞函數(shù)（有時(shí)稱為斜率極性）-表示頻率變化的方向與控制電壓的關(guān)系.正傳遞函數(shù)表示增加的正控制電壓的頻率增加,如圖1A所示.相反,如果頻率隨著更正（或更負(fù)）控制電壓而減小,如圖1B所示,傳遞函數(shù)是負(fù).

線性度-普遍接受的線性定義是MIL-PRF-55310中規(guī)定的.它是VCXO晶振頻率誤差和總偏差之間的比率,以百分比表示,其中晶振頻率誤差是從通過輸出頻率與控制電壓的曲線繪制的最佳直線的最大頻率偏移.如果壓電晶體振蕩器的規(guī)格要求線性度為±5％且實(shí)際偏差總共為20kHz,如圖2所示,則輸出頻率與控制電壓輸入的曲線可能會(huì)相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直線“A”.這些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲線,其線性度在±5％以內(nèi).

在圖3中,最佳直線“A”的最大偏差為-14ppm,總偏差為100ppm,因此線性度為±14ppm/100ppm=±14％.

產(chǎn)生圖2所示特性的VCXO晶振使用超突變結(jié)變?nèi)荻O管,偏置以適應(yīng)雙極性（±）控制電壓.產(chǎn)生圖3特性的VCXO使用具有施加的單極控制電壓的突變結(jié)變?nèi)荻O管（在這種情況下為正）.良好的VCXO壓控晶振設(shè)計(jì)要求電壓與頻率曲線平滑（無間斷）和單聲道.所有維管晶振的VCXO系列都具有這些特性.

調(diào)制速率（有時(shí)稱為偏差率或頻率響應(yīng)）-這是控制電壓可以改變的速率,從而導(dǎo)致相應(yīng)的頻率變化.通過施加峰值等于指定控制電壓的正弦波信號(hào),解調(diào)VCXO壓控晶振的輸出信號(hào),并以不同調(diào)制速率比較解調(diào)信號(hào)的輸出電平來測(cè)量.調(diào)制速率由Vectron晶振定義為最大調(diào)制頻率,它產(chǎn)生的解調(diào)信號(hào)在100dB調(diào)制信號(hào)的3dB范圍內(nèi).雖然非晶體控制的VCO可以以非常高的速率進(jìn)行調(diào)制（輸出頻率大于10MHz時(shí)大于1MHz）,但VCXO晶振的調(diào)制速率受到晶體物理特性的限制.雖然VCXO晶振的調(diào)制輸入網(wǎng)絡(luò)可以擴(kuò)展到在100kHz以上產(chǎn)生3dB響應(yīng),但由于晶振,解調(diào)信號(hào)在調(diào)制頻率大于20kHz時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)5-15dB的幅度變化.

斜率/斜率線性/增量靈敏度-這可能是一個(gè)令人困惑的區(qū)域,因?yàn)檫@些術(shù)語經(jīng)常被誤用.如果要將斜率除以總控制電壓擺幅,則斜率應(yīng)該被稱為平均斜率.對(duì)于圖2中所示的VCXO壓控晶振,平均斜率為-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量靈敏度,通常誤稱斜率線性度意味著頻率與控制電壓的增量變化.

因此,雖然該示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲線的任何段的斜率可以與-2kHz/伏相當(dāng)大.事實(shí)上,對(duì)于最佳直線線性度為±1％至±5％的VCXO,增量靈敏度約為（非常近似）最佳直線線性度的10倍.因此,具有±5％最佳直線線性度的VCXO壓控晶振可以在每伏特的基礎(chǔ)上表現(xiàn)出±50％的斜率變化.因此,讀取“斜率：2kHz/伏特±10％”的規(guī)范需要澄清,因?yàn)樗赡芤馕吨骄甭驶蛟隽快`敏度.如果它旨在定義平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的總偏差,并且更恰當(dāng)?shù)卣f明了“總偏差：20kHz-10％.”但是,如果意圖頻率改變?yōu)槊總€(gè)增量電壓必須介于1.8kHz和2.2kHz之間,高線性VCXO壓控晶體振蕩器被指定為±10％增量靈敏度與±1％最佳直線線性相關(guān).該規(guī)范的元素應(yīng)為“增量靈敏度：每伏2kHz±10％”.

其他設(shè)計(jì)考慮因素

穩(wěn)定性-石英晶振晶體是一種高Q器件,是晶體振蕩器的穩(wěn)定性決定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏離）其設(shè)計(jì)頻率.為了產(chǎn)生具有顯著偏差的VCXO,振蕩器電路必須“去Q”.這導(dǎo)致晶體在其頻率與溫度特性,老化特性及其短期穩(wěn)定性（和相關(guān)的相位噪聲）特性方面的固有穩(wěn)定性降低.因此,最好不要指定比絕對(duì)要求更寬的偏差,這符合用戶的最佳利益.

鎖相-當(dāng)VCXO晶振用于鎖相環(huán)應(yīng)用時(shí),偏差應(yīng)始終至少與VCXO本身及其鎖定的參考或信號(hào)的組合不穩(wěn)定性一樣大.Vectron維管晶振集團(tuán)生產(chǎn)一系列VCXO晶振,特別適用于鎖相環(huán)應(yīng)用（在隨后的頁面中有描述）.但是,如果系統(tǒng)的開環(huán)穩(wěn)定性要求比該產(chǎn)品系列中的更嚴(yán)格,則可能需要TC/VCXO.對(duì)于最高穩(wěn)定性開環(huán)要求,適當(dāng)?shù)恼袷幤骺梢允谴?/span>cata-log的TCXO溫補(bǔ)晶振或OCXO恒溫晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO選項(xiàng),而不是VCXO壓控晶體振蕩器部分中描述的那些.

基本振蕩器頻率-基本模式晶體（通常為10-25MHz）允許最大的偏差,而第三泛音晶體（通常為20-70MHz）允許偏差約為適用于基波的1/9.因此,所有寬偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶體;較窄的偏差VCXO可以使用基?；虻谌阂艟w,其選擇通常取決于線性度和穩(wěn)定性等規(guī)格.很少有更高的泛音,因此更高頻率的晶體可用于VCXO.因此,輸出頻率高于或低于適當(dāng)晶振頻率的VCXO包括倍頻器或分頻器.

一般注意事項(xiàng)-雖然任何類型的石英晶體振蕩器都是如此,但對(duì)于VCXO壓控晶體振蕩器而言,用戶不要過度指定產(chǎn)品.VCXO壓控晶振的特殊問題在于增加的偏差導(dǎo)致穩(wěn)定性降低,這可能導(dǎo)致需要更寬的偏差,進(jìn)一步降低穩(wěn)定性,導(dǎo)致所需偏差的螺旋式增加.

億金電子專業(yè)提供石英晶振,貼片晶振,有源晶振,晶體濾波器等頻率元件,擁有完善的服務(wù)體積,優(yōu)秀的銷售精英團(tuán)隊(duì),為用戶打造舒適的采購服務(wù)體驗(yàn).億金電子提供石英晶體振蕩器,各種封裝規(guī)格,包括臺(tái)灣,日本,美國,英國等知名晶振品牌,常用頻點(diǎn)均有備貨,歡迎廣大用戶咨詢選購0755-27876565.