泰藝晶振,石英晶振,XR晶振
頻率:8M~50MHZ
尺寸:6.0x3.5mm
泰藝電子立基臺灣,在美國與中國大陸均設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點,營業(yè)與銷售據(jù)點包括臺灣臺北、美國、歐洲以及中國大陸等地,客戶使用石英水晶振蕩子,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產(chǎn)業(yè)、消費性電子、信息產(chǎn)業(yè)、通信產(chǎn)業(yè)與通信基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè).泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利;未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英晶振頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn).
泰藝石英晶振公司以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管制系統(tǒng)獲得客戶對產(chǎn)品的信賴度,健全的供應(yīng)鏈管理掌握原材物料的來源,滿足客戶對石英頻率元件的需求.
泰藝石英晶振公司主要產(chǎn)品:
廣泛用途石英晶體(Crystal)
小型化貼片石英晶體振蕩器(SMD XO)
壓控有源晶振(VCXO)
未來展望
銷售:發(fā)展自有品牌及策略性客戶、拓展全球化渠道.
產(chǎn)能:經(jīng)濟(jì)化、規(guī)?;?/span>.
產(chǎn)品:高頻、高精度、輕、薄、短、小.
制程:標(biāo)準(zhǔn)化、自動化、信息化與彈性化.
供應(yīng)鏈:交期短、庫存低.
泰藝晶振,石英晶振,XR晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
泰藝晶振規(guī)格
單位
XR晶振頻率范圍
石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率
f_nom
8MHZ~50MHZ
標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度
T_stg
-40°C ~ +125°C
裸存
工作溫度
T_use
-40°C ~ +85°C
標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率
DL
200μW Max.
推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差
f_— l
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
頻率溫度特征
f_tem
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容
CL
8pF ,10PF,12PF,20PF
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)
R1
如下表所示
-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化
f_age
±5 × 10-6 / year Max.
+25°C,第一年
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
在使用泰藝晶振時應(yīng)注意以下事項:
以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.泰藝晶振,石英晶振,XR晶振
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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