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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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泰藝晶振,石英晶振,XR晶振

頻率:8M~50MHZ

尺寸:6.0x3.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27876565
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TY-2

泰藝電子立基臺灣,在美國與中國大陸均設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點,營業(yè)與銷售據(jù)點包括臺灣臺北、美國、歐洲以及中國大陸等地,客戶使用石英水晶振蕩子,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產(chǎn)業(yè)、消費性電子、信息產(chǎn)業(yè)、通信產(chǎn)業(yè)與通信基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè).泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利;未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英晶振頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn).

泰藝石英晶振公司以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管制系統(tǒng)獲得客戶對產(chǎn)品的信賴度,健全的供應(yīng)鏈管理掌握原材物料的來源,滿足客戶對石英頻率元件的需求.

泰藝石英晶振公司主要產(chǎn)品:

石英晶片(Crystal Wafer, Crystal Blank)

廣泛用途石英晶體(Crystal

小型化貼片晶振(SMD Crystal)

一般及精密有源晶振(XO)

小型化貼片石英晶體振蕩器(SMD XO

壓控有源晶振(VCXO

壓控溫補振蕩器(VC/TCXO)

恆溫石英晶振 (OCXO)

未來展望

銷售:發(fā)展自有品牌及策略性客戶、拓展全球化渠道.

產(chǎn)能:經(jīng)濟(jì)化、規(guī)?;?/span>.

產(chǎn)品:高頻、高精度、輕、薄、短、小.

制程:標(biāo)準(zhǔn)化、自動化、信息化與彈性化.

供應(yīng)鏈:交期短、庫存低.

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泰藝晶振,石英晶振,XR晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT .其它切型還有 CTDT、GTNT .超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.

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泰藝晶振規(guī)格

單位

XR晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8MHZ~50MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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XR 6035

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在使用泰藝晶振時應(yīng)注意以下事項:

以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf
為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd
為限流電阻470Ω1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
3)振蕩期間測量R的值.
4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL.
 
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
 
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計.我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.泰藝晶振,石英晶振,XR晶振

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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6035封裝石英貼片晶振分為四個焊接腳和兩個焊接腳,兩個焊接腳的陶瓷面封裝晶振歸類于我們前面介紹晶振的文章中所說過的壓電石英晶體諧振器.在不同環(huán)境下的多功能產(chǎn)品中具有高可靠性特點,不含鉛汞符合歐盟要求的環(huán)保要求.6035封裝石英表貼式晶體諧振器小型設(shè)計,是筆記本、數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、USB接口等智能設(shè)備優(yōu)先選用的貼片晶振型號.
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