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希華晶振,石英晶振,SX-7050晶振

頻率：6M~100MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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在十年的時(shí)間里希華晶體科技刻苦專研,開(kāi)發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領(lǐng)域,并且成功在1998年回到祖國(guó)的懷抱,到了沒(méi)了的中國(guó)廣東省東莞市投資建廠, 主要生產(chǎn)SMD晶振系列,剛開(kāi)始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開(kāi)始量產(chǎn)常規(guī)石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸為主.

希華晶振晶體科技有限公司成立于1988年,希華正式成立, 資本額為1,500萬(wàn)元整,開(kāi)始以普通石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售.從人工晶棒長(zhǎng)成到最終產(chǎn)品,透過(guò)最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、石英晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型(TCXO晶振)及電壓控制型(VCXO晶振)產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù).

希華晶體產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無(wú)線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能.持續(xù)致力于技術(shù)研究開(kāi)發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營(yíng)運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國(guó)大陸、日本、新加坡、美國(guó)及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠.

導(dǎo)入先進(jìn)微機(jī)電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)

希華晶振晶體科技有限公司敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開(kāi)發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域,石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,無(wú)源晶振等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū).且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間.
希華晶振晶體科技有限公司藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)與制程資源整合,不斷開(kāi)發(fā)創(chuàng)新及制程改造,以全系列完整產(chǎn)品線,來(lái)滿足客戶對(duì)石英元件多樣化的需求.積極地透過(guò)產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域,此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針.

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希華晶振,石英晶振,SX-7050晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.

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希華晶振規(guī)格	單位	SX-7050晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6MHZ~100MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +90°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	16PF,20PF,30PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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SX-7050 7050

在使用希華晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.希華晶振,石英晶振,SX-7050晶振