津綻晶振,石英晶振,NXA UM-1晶振,NXB UM-5晶振
頻率:3.5M~160MHZ
尺寸:8.4x3.2mm
臺(tái)灣津綻NSK晶體科技是專業(yè)的石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振制作商,公司創(chuàng)于臺(tái)灣1996年成立,創(chuàng)建品牌為【NSK】1997年在香港成立分公司,1998年在深圳成立分部,2001年到廣東省東莞市投資建廠,主要生產(chǎn)石英晶體諧振器,無(wú)源晶振,與石英晶體振蕩器,有源晶振,東冠生產(chǎn)線主要生產(chǎn)小尺寸SMD晶體系列.
臺(tái)灣津綻NSK晶體主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振蕩子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振蕩器 (SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振蕩器 (SMD晶振 VCXO壓控晶振).
臺(tái)灣津綻NSK晶體科技股份有限公司擁有超過(guò) 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),秉持著持續(xù)開(kāi)發(fā)與專業(yè)技術(shù)支持,提供使用者最佳的解決方案及最好的服務(wù)質(zhì)量.NSK是津綻石英科技股份有限公司于全球的銷售品牌,具有良好競(jìng)爭(zhēng)性的價(jià)格及靈活快速的交貨管理.臺(tái)灣津綻NSK晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).
臺(tái)灣津綻NSK晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考慮面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.
津綻晶振,石英晶振,NXA UM-1晶振,NXB UM-5晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
NSK晶振規(guī)格 |
單位 |
NXA UM-1晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.5MHZ~160MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF~32PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
NSK晶振規(guī)格 |
單位 |
NXB UM-5晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10MHZ~160MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ~32PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
NXA UM-1晶振尺寸圖:
NXB UM-5晶振尺寸圖:
在使用NSK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
插件晶振安裝示例:
DIP 產(chǎn)品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中.請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形.
SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免石英晶振引腳變形.已變形的石英晶振引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起.尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理.
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和聲表面濾波器(SAW)/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?/span>.
(3)請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式晶振產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固.這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.
晶振/石英晶體諧振器
激勵(lì)功率
在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).臺(tái)灣津綻晶振,石英晶振,NXA UM-1晶振,NXB UM-5晶振
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
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霧化片
貼片晶振
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- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
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- 7.0x1.5晶振
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石英晶振
KDS晶振
愛(ài)普生晶振
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NDK晶振
溫補(bǔ)晶振
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