DIODES晶振,FNETHE025,CMOS輸出有源晶振,千兆以太網晶振,貼片振蕩器
頻率:25MHz
尺寸:7.00mm x 5.00mm
DIODES晶振,FNETHE025,CMOS輸出有源晶振,千兆以太網晶振,貼片振蕩器
在千兆以太網相關設備中,FNETHE025石英貼片晶振發(fā)揮著不可或缺的作用。在千兆以太網交換機中,它為數據的交換與轉發(fā)提供穩(wěn)定且精準的時鐘信號,確保各個端口之間的數據傳輸同步且準確,提升交換機的數據處理能力和網絡吞吐量,保障網絡的高效運行。
在企業(yè)級路由器中,該亞陶晶振為路由算法的運行和數據包的快速轉發(fā)提供可靠的時鐘基準。在復雜的網絡環(huán)境下,能保證路由器在處理大量數據時,準確地對數據包進行路由選擇,確保網絡連接的穩(wěn)定性和流暢性。
對于工業(yè)以太網設備,如工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的現場總線設備,FNETHE025晶振的穩(wěn)定性和可靠性使其成為理想選擇。它能為工業(yè)設備提供穩(wěn)定的時鐘信號,確保設備在工業(yè)環(huán)境的電磁干擾、溫度變化等因素影響下,依然能夠穩(wěn)定工作,保障工業(yè)網絡的可靠運行。
與市場上其他同類石英晶體振蕩器相比,FNETHE025晶振具有顯著的競爭優(yōu)勢。從品牌角度看,DIODES在晶振制造領域擁有良好的聲譽和強大的技術研發(fā)實力,為產品質量提供了有力保障。作為CMOS輸出有源晶振,它在與CMOS電路集成時更加便捷,減少了信號干擾和失真,能更好地滿足千兆以太網設備對時鐘信號質量的嚴苛要求。
貼片振蕩器的封裝形式符合現代電子制造的發(fā)展趨勢,在生產效率和空間利用方面具有明顯優(yōu)勢。其針對千兆以太網應用進行的優(yōu)化設計,使得在頻率穩(wěn)定性、相位噪聲等關鍵指標上表現出色,能有效減少數據傳輸錯誤,提高網絡性能。這些優(yōu)勢使得FNETHE025晶振在千兆以太網晶振市場競爭中脫穎而出,成為眾多網絡設備制造商的優(yōu)先選擇。
DIODES晶振,FNETHE025,CMOS輸出有源晶振,千兆以太網晶振,貼片振蕩器
parameter | Min. | TYp. | Max. | units | Notes | ||||||||||
Output Frequency | 25 | MHz | |||||||||||||
Supply Voltage V DD | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | |||||||||||
Supply Current, Output Enabled | 15 | mA | |||||||||||||
Supply Current, Output Disabled | 10 | μA | |||||||||||||
Frequency Stability | ±25 | ppm | See Note 1 below | ||||||||||||
Operating Temperature Range | -20 | +70 | °C | ||||||||||||
Output Logic 0, VOL | 10% V DD | V | |||||||||||||
Output Logic 1, VOH | 90% V DD | V | |||||||||||||
Output Load | 15 | pF | |||||||||||||
Duty Cycle | 45 | 55 | % | Measured 50% V DD | |||||||||||
Rise and Fall Time | 7 | ns | Measured 20/80% of waveform | ||||||||||||
Jitter, Phase, RMS(1-σ) | 1 | ps | 12kHz~20MHz Frequency Band | ||||||||||||
Jitter, pk-pk | 50 | ps | 100.000 random periods |
DIODES晶振,FNETHE025,CMOS輸出有源晶振,千兆以太網晶振,貼片振蕩器
DIODES晶振,FNETHE025,CMOS輸出有源晶振,千兆以太網晶振,貼片振蕩器
所有產品的共同點
1、抗沖擊
產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免照射。
3、化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
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