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鴻星晶振,32.768K,ETDB晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.0x8.0mm

32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強(qiáng),在各種產(chǎn)品中面對(duì)不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強(qiáng)的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運(yùn)輸過程中都不會(huì)受到影響.每一批生產(chǎn)的晶振在出廠時(shí)都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗(yàn),采用24小時(shí)老化測(cè)試為質(zhì)量嚴(yán)格把關(guān).

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

HX-2

鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷代表處.

鴻星晶振已經(jīng)成為全球從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與營(yíng)銷.

鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長(zhǎng)的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn).

生產(chǎn)理念：

鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個(gè)健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個(gè)有能力的團(tuán)隊(duì)和基礎(chǔ)設(shè)施,為我們所做的每一個(gè)產(chǎn)品.公司建立平臺(tái)有機(jī)的學(xué)習(xí)鼓勵(lì)跨職能團(tuán)隊(duì)的工作保持更好的環(huán)境和溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器技術(shù)改進(jìn).

環(huán)保理念：

鴻星晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).

1.為環(huán)境保護(hù)和降低成本開發(fā)綠色技術(shù).

2.為協(xié)調(diào)發(fā)展,共同參與社會(huì)的環(huán)境、健康與安全的改善活動(dòng).

3.在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)確定、評(píng)價(jià)和改進(jìn)重要的環(huán)境、健康和安全因素.

4.建立和維護(hù)以國(guó)際協(xié)定和國(guó)家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎(chǔ)的企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn).

5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產(chǎn)環(huán)境,開發(fā)生產(chǎn)過程的安全技術(shù),明確緊急狀態(tài)反應(yīng)的職責(zé).

鴻星石英集團(tuán)充分認(rèn)識(shí)加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的重要性和緊迫性,把環(huán)境保護(hù)擺在更加重要的戰(zhàn)略位置,以對(duì)國(guó)家、對(duì)民族、對(duì)子孫后代高度負(fù)責(zé)的精神,切實(shí)做好環(huán)境保護(hù)工作,推動(dòng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展.

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鴻星晶振,32.768K,ETDB晶振,32.768K插件晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強(qiáng),每批次出廠均采用24小時(shí)老化測(cè)試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產(chǎn)品使用溫度高溫可達(dá)到+85°低溫可達(dá)到-40℃,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到比較高端的汽車電子產(chǎn)品,民用產(chǎn)品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產(chǎn)品.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

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鴻星晶振規(guī)格	單位	ETDB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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yijin-4 在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

DIP 產(chǎn)品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中.請(qǐng)勿施加過大壓力,以免引腳變形.

SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請(qǐng)勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形.已變形的石英晶振引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起.尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理.

超聲波清洗

（1）使用AT-切割晶體和表面面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.

（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?/span>.

（3）請(qǐng)勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品

（4）對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.鴻星晶振,32.768K,ETDB晶振

（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固.這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.

操作

請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.

使用環(huán)境（溫度和濕度）

請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.

晶振/石英晶體諧振器

激勵(lì)功率

在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

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ETDB晶振 3x8圓柱晶振 32.768K插件石英晶體

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