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領(lǐng)先同行的手機攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

頻率：26MHZ

尺寸：2520mm

領(lǐng)先同行的手機攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振，臺灣HOSONIC晶振公司，臺產(chǎn)晶振，鴻星晶振，特點:非常緊湊和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)頻率范圍12M ~ 62.5M，具有優(yōu)良的電氣性能，是OA(辦公自動化)，AV(視聽)，藍牙和無線局域網(wǎng)應用的理想選擇。優(yōu)異的耐熱性和抗震性，無鉛。滿足使用無鉛焊料的回流剖面要求.無源晶振，四腳晶振，貼片晶振，石英晶振，鴻星晶振，臺灣晶振，2520晶振，6G室外基站晶振，航空航天晶振，空間站晶振，環(huán)保無鉛晶振，高精度晶振，北斗衛(wèi)星定位模塊晶振，智能水表晶振

訂購熱線：0755-27876565

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領(lǐng)先同行的手機攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振，臺灣HOSONIC晶振公司，臺產(chǎn)晶振，鴻星晶振，特點:非常緊湊和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)頻率范圍12M ~ 62.5M，具有優(yōu)良的電氣性能，是OA(辦公自動化)，AV(視聽)，藍牙和無線局域網(wǎng)應用的理想選擇。優(yōu)異的耐熱性和抗震性，無鉛。滿足使用無鉛焊料的回流剖面要求.無源晶振，四腳晶振，貼片晶振，石英晶振，鴻星晶振，臺灣晶振，2520晶振，6G室外基站晶振，航空航天晶振，空間站晶振，環(huán)保無鉛晶振，高精度晶振，北斗衛(wèi)星定位模塊晶振，智能水表晶振

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領(lǐng)先同行的手機攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

項目	標志	E2SB
頻率范圍	F0	12 to 15.999MHz
工作模式		Fundamental
負載電容	CL	8 to 16pF
頻率容差	△F/ F0	±10ppm,±15ppm,±30ppm(At 25℃)
等效串聯(lián)電阻	ESR	120Ω max.
溫度穩(wěn)定度	TC	±10ppm,±15ppm,±30ppm(Refer to 25℃)
工作溫度范圍	TOPR	-20~+70℃,-30~+85℃ Option
儲存溫度范圍	TSTG	-55~+125℃
分流電容	C0	3pF max.
絕緣電阻	IR	500MΩ min. (At 100VDC)
驅(qū)動電平	DL	50?W(100?W max.)
老化	Fa	±2ppm max. (At 25℃,First year)
包裝單位		3000pcs/reel

領(lǐng)先同行的手機攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

鴻星原廠編碼	生產(chǎn)商品牌	型號	頻率	頻率穩(wěn)定度	頻率容差	負載電荷	工作溫度
E2SB40E000104ECBB8	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±7ppm	12pF	-30°C ~ 90°C
E2SB38E0X0300E	Hosonic晶振	E2SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000107E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	-12ppm, +20ppm	±5ppm	12pF	-40°C ~ 105°C
E2SB40E00010AE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±7ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
E2SB27E0X0000E	Hosonic晶振	E2SB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
E2SB24E001801E	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E2SB40E000108E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±15ppm	±7ppm	6pF	-40°C ~ 100°C
E2SB12E000005E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E2SB16E00000ME	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E2SB26E001201E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±13ppm	±5ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
E2SB32E001201E	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB12E000014E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±10ppm	±10ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
E2SB12E009200E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±20ppm	±30ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E2SB16E000003E	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
E2SB16E000007E	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB24E00000LE	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB24E00000ZE	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E2SB24E000016E	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	20pF	-30°C ~ 85°C
E2SB26E000005E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
E2SB26E000103E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±10ppm	±10ppm	7.5pF	-20°C ~ 75°C
E2SB27E00000EE	Hosonic晶振	E2SB	27 MHz	±10ppm	±10ppm	20pF	-30°C ~ 85°C
E2SB27E0X000CE	Hosonic晶振	E2SB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB32E00000LE	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E2SB32E000018E	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±20ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E2SB37E0X0002E	Hosonic晶振	E2SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB37E0X0004E	Hosonic晶振	E2SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB38E0X000HE	Hosonic晶振	E2SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E00000JE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±7ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E00000RE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
E2SB40E00000WE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000003E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000007E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000009E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000103E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±7ppm	±10ppm	11pF	-40°C ~ 100°C
E2SB48E000009E	Hosonic晶振	E2SB	48 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB54E000000E	Hosonic晶振	E2SB	54 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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領(lǐng)先同行的手機攝像模塊晶振 Hosonic高品質(zhì)晶體 E2SB26E000103E晶振

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