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HOSONIC晶振,有源晶振,D3SX晶振,HXO-S晶振

頻率：1M~125MHZ

尺寸：3.2x2.5mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,3225有源晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27876565

HX-2

鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專(zhuān)業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠(chǎng),公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開(kāi)始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷(xiāo)及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷(xiāo)代表處.

鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.鴻星晶振集團(tuán)并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀(guān)念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿(mǎn)足客戶(hù)需求,獲得客戶(hù)的信賴(lài)而努力.

鴻星晶振科技堅(jiān)持在發(fā)展中保護(hù)、在保護(hù)中發(fā)展,積極探索環(huán)境保護(hù)新道路,切實(shí)解決影響科學(xué)發(fā)展和損害群眾健康的突出環(huán)境問(wèn)題,全面開(kāi)創(chuàng)環(huán)境保護(hù)工作新局面.

鴻星石英集團(tuán)充分認(rèn)識(shí)加強(qiáng)環(huán)境保護(hù)工作的重要性和緊迫性,把環(huán)境保護(hù)擺在更加重要的戰(zhàn)略位置,以對(duì)國(guó)家、對(duì)民族、對(duì)子孫后代高度負(fù)責(zé)的精神,切實(shí)做好環(huán)境保護(hù)工作,推動(dòng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)全面協(xié)調(diào)可持續(xù)發(fā)展.

yijin-1

HOSONIC晶振,有源晶振,D3SX晶振,HXO-S晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).

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項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1M~125MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

D3SX(Former HXO-S) 3225 OSC

yijin-4

在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

運(yùn)行條件

①電源電壓和極性

晶體振蕩器應(yīng)在規(guī)定的電源電壓和電壓范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表中給出的公差.電源電壓以外的操作規(guī)范可能導(dǎo)致晶體振蕩器的間歇或完全失效.

極性反接可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備電氣不可逆損壞（死機(jī)）和/或機(jī)械地（燃燒）.因此,請(qǐng)?jiān)诖_認(rèn)正確的電壓極性之前給有源晶體振蕩器設(shè)備加電.

②電源電壓限制

在任何情況下,請(qǐng)向有源晶體振蕩器,超小型有源貼片晶振施加電源電壓電平超過(guò)絕對(duì)最大值,通常最大為7VDC.對(duì)于大多數(shù)（H）CMOSIC.另請(qǐng)注意,電源電壓低于額定電壓的70~80％可能會(huì)導(dǎo)致電壓下降振蕩器運(yùn)行不穩(wěn)定.

為獲得最佳性能和穩(wěn)定性,振蕩器可由單獨(dú)穩(wěn)定的電源供電電壓軌,以避免數(shù)字中通常存在的電源電壓噪聲干擾電路.

③石英晶體振蕩器啟動(dòng)

晶體振蕩器由晶體空白和半導(dǎo)體芯片組成,它集成了一個(gè)晶體驅(qū)動(dòng)電路和時(shí)鐘輸出驅(qū)動(dòng)級(jí).半導(dǎo)體芯片本身沒(méi)有包含復(fù)雜的復(fù)位邏輯或電源電壓監(jiān)控電路,用于控制振蕩器輸出信號(hào).

為獲得最佳系統(tǒng)穩(wěn)定性,我們建議使用外部電源電壓監(jiān)控在電源電壓充足之前,防止后續(xù)電路開(kāi)始工作的電路上電,振蕩器輸出頻率完全穩(wěn)定.請(qǐng)參考振蕩器啟動(dòng)時(shí)間,在我們的振蕩器數(shù)據(jù)表中定義.

④旁路電容器

請(qǐng)注意,由于SMD振蕩器,3225貼片有源晶振尺寸較小,因此沒(méi)有旁路電容內(nèi)置.我們強(qiáng)烈建議在附近放置一個(gè)~0.01μF的外部旁路電容VDC端子/焊盤(pán)與GND端子/焊盤(pán)的低阻抗連接.旁路電容器能夠在輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換時(shí)緩沖石英晶體振蕩器的動(dòng)態(tài)電源電流,它還可以幫助減少通過(guò)電源電壓軌的RF傳輸.HOSONIC晶振,有源晶振,D3SX晶振,HXO-S晶振

⑤負(fù)載電容

低于指定最大值的任何容性負(fù)載.負(fù)載電容可以連接到振蕩器的輸出.應(yīng)保持從振蕩器輸出到負(fù)載（下一個(gè)IC）的PCB走線(xiàn)短路以避免額外的雜散電容和輸出波形的失真.

⑥電源電流

晶體振蕩器的電流消耗取決于實(shí)際的負(fù)載電容連接到振蕩器的輸出級(jí).實(shí)際容性負(fù)載越小,電流消耗越少.如果設(shè)計(jì)用于30pF負(fù)載的振蕩器連接到15pF的實(shí)際負(fù)載,則電流消耗與振蕩器的電流消耗大致相同專(zhuān)為15pF設(shè)計(jì).

⑦方向（Pin1標(biāo)記）

對(duì)于石英晶體振蕩器,引腳1通常由蓋子上標(biāo)記的點(diǎn)和/或傾斜處標(biāo)識(shí)相應(yīng)的SMD墊.請(qǐng)確保將振蕩器正確安裝到PCB上取向.錯(cuò)誤的方向可能導(dǎo)致反向電源電壓極性,這可能導(dǎo)致該單位不可逆轉(zhuǎn)地受損.

⑧PCB布局

我們建議將有源石英晶振,晶體振蕩器連接布置在芯片或芯片的短距離處接收器電路的時(shí)鐘輸入.最好避免長(zhǎng)跡線(xiàn)和近旁信號(hào)跡線(xiàn)會(huì)干擾晶體時(shí)鐘信號(hào).長(zhǎng)信號(hào)走線(xiàn)引起的不希望的雜散電容和電感會(huì)產(chǎn)生很大的影響振蕩器單元的輸出阻抗應(yīng)最小化.

⑨建議的焊接腳布局

請(qǐng)注意,我們提供了焊接腳位布局建議供您參考.請(qǐng)使用它們作為設(shè)計(jì)建議并應(yīng)用貴公司的設(shè)計(jì)規(guī)則.標(biāo)識(shí)為NC的引腳應(yīng)保持不連接狀態(tài).

⑩工作溫度

所有晶體振蕩器應(yīng)在溫度限制范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表.

⑾晶體振蕩器測(cè)試和測(cè)試電路

示波器探頭阻抗應(yīng)大于1MOhm,探頭電容較低.施加到有源晶體振蕩器的負(fù)載應(yīng)采用探頭電容和測(cè)試夾具雜散電容考慮到了.所有引線(xiàn)長(zhǎng)度應(yīng)盡可能短,特別是地線(xiàn).我們建議使用寬帶低電容有源探頭來(lái)表現(xiàn)振蕩器輸出信號(hào).