TXC晶振,差分晶振,BN晶振,BP晶振
頻率:60M~700MHZ
尺寸:5.0x7.0mm
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.
臺(tái)灣晶技TXC晶振公司為一專業(yè)之頻率組件與感測(cè)組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售,并因應(yīng)市場(chǎng)應(yīng)用與需求,透過自主核心技術(shù),成功開發(fā)出各式感測(cè)組件(Sensor),產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場(chǎng).
為確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全,確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性,通過正式的管理評(píng)審和對(duì)健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn),保護(hù)人群及財(cái)產(chǎn)與環(huán)境.
臺(tái)灣晶技TXC晶振公司以最小化使用危險(xiǎn)材料、能源和其它資源為目的進(jìn)行公司產(chǎn)品及服務(wù)的安全生產(chǎn)和使用,并確?;厥绽?/span>.以防治污染、保存資源的方式進(jìn)行商務(wù)運(yùn)作,并積極地對(duì)以往的環(huán)境破壞進(jìn)行揭露.持續(xù)改進(jìn),將環(huán)境管理與商務(wù)運(yùn)行和決策過程高度集成,規(guī)范其行為.不斷進(jìn)行持續(xù)改進(jìn)的實(shí)踐.
TXC晶振,差分晶振,BN晶振,BP晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn),差分晶振的頻率相對(duì)都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲(chǔ)存溫度非常寬,客戶實(shí)驗(yàn)證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動(dòng)晶振能達(dá)到1V,起振時(shí)間為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
TXC晶振型號(hào) |
符號(hào) |
BN晶振,BP晶振 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
60~700MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-55~+125℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA
max. |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA
max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω
(Output-OutputN) |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更多特殊參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr,
tf |
0.4ns
max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV
[⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps
typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps
typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps
typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ
n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps
max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
BN晶振尺寸圖
BP晶振尺寸圖
在使用TXC晶振時(shí)應(yīng)注意
晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請(qǐng)閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.
1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能).
2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器
(1)安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)5x7石英晶體振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會(huì)破裂,如果受到影響長時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.
(2)通過自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時(shí)會(huì)發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會(huì)改變或惡化.
(3)板彎曲應(yīng)力
將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的差分石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊(最多三次).但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測(cè)量產(chǎn)品的性能或您要求我們?cè)俅螠y(cè)量它.
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個(gè)環(huán)境中處理產(chǎn)品對(duì)抗靜電的措施拍攝.
5.耐高溫
關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時(shí)在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時(shí),產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).TXC晶振,差分晶振,BN晶振,BP晶振
6. EMI
當(dāng)您考慮EMI時(shí),低電源電壓建議使用(例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V).此外,請(qǐng)事先咨詢我們有關(guān)的組合針對(duì)上述EMI的兩種對(duì)策.
7.超聲波清洗
當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時(shí)根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會(huì)發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請(qǐng)務(wù)必檢查條件.
8.請(qǐng)將水晶時(shí)鐘振蕩器用于特殊用途時(shí)歡迎與我們聯(lián)系.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
聯(lián)系人黃娜:18924600166
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
臺(tái)產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
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- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- KVG晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ITTI晶振
- ACT晶振
- Milliren晶振
- Lihom晶振
- rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
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- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振
有源晶振
霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
愛普生晶振
- EPSON 32.768K晶振
- EPSON無源晶振
- EPSON普通有源晶振
- EPSON壓控晶振
- EPSON溫補(bǔ)晶振
- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
- EPSON恒溫晶振
- EPSON差分晶振
- EPSON可編程晶振