TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,BR晶振,6U40930001晶振
頻率:1M~200MHZ
尺寸:5.0x7.0mm
壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛
臺灣晶技TXC晶振多年來,我們始終以提升客戶價值為目標(biāo),是以無論在價格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面,均盡力盡心于超越客戶的期待,并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促.經(jīng)過三十年的努力,臺灣晶技總公司而外,另設(shè)有如下之生產(chǎn)據(jù)點:臺北市、桃園市、寧波市、以及重慶市.
臺灣晶技TXC晶振公司是一家領(lǐng)先的專業(yè)頻率控制,溫補晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體諧振器,石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產(chǎn)品制造商致力于研究,設(shè)計,制造和銷售雙列直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體和振蕩器產(chǎn)品.
臺灣晶技TXC晶振公司目前專業(yè)從事這些類別的產(chǎn)品:晶體(32.768kHz,基本兆赫,高精度的兆赫,汽車級)
Oscillators(32.768kHz,CMOS硅MEMS,差分輸出,看到汽車級),壓控晶體振蕩器(CMOS差分輸出),TCXO(基礎(chǔ)、GPS、精密),壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等.
TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,BR晶振,6U40930001晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
型號
輸出頻率范圍
1~200MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍
+1.68~+3.5V
電源電壓(Vcc)
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz)
待機(jī)時電流
-更多詳細(xì)參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn
輸出電壓
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)
輸出負(fù)載
10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度
常溫偏差
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows)
溫度特性
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃
電源電壓特性
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%)
負(fù)載變化特性
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%)
長期變化
±1.0×10-6 max./year
頻率控制
控制靈敏度
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V
頻率控制極性
正極性
TXC高溫晶體振蕩器型號代碼列表
6U晶振,BR晶振
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃(Option)
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
原廠代碼 | 品牌 | 代理商 | 型號 | 類型 | 頻率 | 包裝/封裝 | 尺寸 |
6U-16.384MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 16.384MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-32.768MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 32.768MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-27.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 27MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-27.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 27MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-38.880MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 38.88MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-38.880MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 38.88MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-10.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 10MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-10.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 10MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-25.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 25MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-25.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 25MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-27.000MCE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 27MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-38.880MCE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 38.88MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-40.960MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 40.96MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-40.960MCE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 40.96MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-52.000MBE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 52MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-52.000MCE-T | TXC晶振 | 億金電子 | 6U | VCXO | 52MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |

6U晶振尺寸圖
BR晶振尺寸圖
在使用TXC晶振時應(yīng)注意
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,BR晶振,6U40930001晶振
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口石英晶體振蕩器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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