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: 低相位抖動差分NP5032SA-100MHZ-NSC5400B晶振,日本進口NDK6G路由器晶振

低相位抖動差分NP5032SA-100MHZ-NSC5400B晶振,日本進口NDK6G路由器晶振，日本NDK晶振公司，貼片晶振,有源晶振,差動輸出SPXO,緊湊尺寸:5.0 × 3.2 × 1.2 mm。,供電電壓:+2.5V或+3.3V,輸出規(guī)格:LVPECL,優(yōu)良的低相位抖動。0.08 ps @148.5MHz,用于超聲波、SDH和gb以太網(wǎng)相關的設備，光模塊差分晶振，通信差分晶振
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: NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振

差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.
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: TXC晶振,差分晶振,BF晶振,BFA2500001晶振

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
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: EPSON晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振

差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.
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: EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振

3225壓控晶振具有最適合于移動通信設備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用.
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: Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振

差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.差分晶振使用于網(wǎng)絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡交換機等網(wǎng)絡通訊設備中.
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: Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒
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: IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.
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: IDT晶振,差分晶振,XUL晶振

差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍
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[行業(yè)新聞]日系3大品牌LVDS差分晶振對比2019年03月15日 10:16: 差分晶振隨著高端智能產(chǎn)品的發(fā)展以及網(wǎng)絡通信應用,使用的越來越多,各大品牌推出多種差分晶振型號各具特色.業(yè)內人士就知道差分晶振主要是具有差分輸出的有源晶振,分為LVDS,HCSL,LV-PECL輸出,具有高穩(wěn)定性,高精密等特點.下面我們就日系品牌LVDS差分晶振對比看看.
愛普生為各行業(yè)應用提供各種封裝尺寸,頻率,OE/ST功能和溫度范圍的貼片晶振,石英晶體振蕩器,包括VCXO晶振,TCXO晶振以及LVDS差分晶振等.愛普生LVDS差分晶振通過使用PLL技術和AT晶體單元來實現(xiàn)寬頻率范圍,為用戶提供73.5MHZ~700MHZ高頻,可選任一頻點.提供SG7050VEN晶振,SG3225VAN晶振,SG5032VAN晶振等多種型號滿足客戶需求.
京瓷石英晶體振蕩器從2016貼片晶振到7050貼片晶振型號；提供高頻率范圍與多種輸出類型支持客戶各種需求.為順應時代發(fā)展需求研發(fā)制造多種差分輸出晶體振蕩器,比如KC3225L-L2晶振,KC7050P-L3晶振等.京瓷LVDS輸出差分晶振供應2.5V/3.3V,具有低電源電壓,精度偏差小等特點.

NDK在日本晶體行業(yè)中占有重要地位,不僅提供大量優(yōu)異的石英晶體諧振器,同時推出并且制造了多種符合市場需的有源晶振,差分晶體振蕩器,如NP3225SB晶振,NP5032SB差分晶體振蕩器.NDK差分晶振輸出優(yōu)勢:對有線數(shù)據(jù)通信有更好的抗噪聲干擾力.提供晶體振蕩器的低振幅給客戶的回路.(雙振幅在客戶的回路上是可用的）
差分晶振具有低相位,低噪音,高精度,高可靠使用特性.被廣泛用于無線通信,5G網(wǎng)絡,千兆光纖網(wǎng),光纖交換機等高速網(wǎng)絡應用需求.億金電子代理日本進口晶振品牌,保證全新原裝,并且提供各種有關差分晶體振蕩器的資料信息免費下載查閱.; 閱讀（300）標簽：

[行業(yè)新聞]了解愛普生高頻差分晶振LVDS輸出的意義2018年12月03日 10:15

科技發(fā)展對差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌紛紛推出差分晶體振蕩器,比如我們所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,愛普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我們都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是輸出的方式是差分信號.

那么差分晶振的輸出是什么意思呢?差分晶振輸出是指輸出差分信號使用2種相位彼此完全相反的信號,從而消除了共模噪聲,并產(chǎn)生一個更高性能的系統(tǒng).這種方式可輸送高頻,并具有抗噪音強,低抖動等特征.常見的差分輸出為LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介紹到的是愛普生LVDS輸出的差分晶振.

愛普生差分晶振參數(shù)

項目	符號	規(guī)格說明		條件
		LV-PECL	LVDS
		SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN
輸出頻率范圍	f0	73.5MHz to 700MHz		請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息。
電源電壓	VCC	K : 2. V to 3.3V		VCC=±10 %
儲存溫度范圍	T_stg	-40 °C to +125 °C		存儲為單一產(chǎn)品
工作溫度范圍	T_use	B:-20 °C to +70 °C G:-40 °C to +85 °C
頻率穩(wěn)定度	f_tol	C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6
功耗	ICC	65mA Max.	30mA Max.	OE =VCC L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω f0 = 700MHz
輸出禁用電流	I_dis	20 mA Max.		OE = GND
占空比	SYM	45 % to 55 %		在輸出交叉點
輸出電壓 (LV-PECL)	VOH	VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V	-	DC 特征
輸出電壓 (LV-PECL)	VOL	VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V	-	DC 特征
輸出電壓 (LVDS)	VOD	-	250 mV to 450 mV	VOD1 , VOD2	DC 特征
	dVOD	-	50 mV Max.	dVOD = \| VOD1 - VOD2 \|
	VOS	-	1.15 V to 1.35 V	VOS1 , VOS2
	dVOS	-	150 mV Max.	dVOS = \| VOS1 - VOS2 \|
輸出負載條件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50 Ω	-	終止于 VCC - 2.0 V
輸出負載條件 (ECL) / (LVDS)	L_LVDS	-	100 Ω	連接到 OUT 與 OUT之間
輸入電壓	VIH	70 % VCC Min.		OE 終端
輸入電壓	VIL	30 % VCC Max.		OE 終端
上升/下降時間	tr/tf	350 ps Max.	-	20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ).
上升/下降時間	tr/tf	-	300 ps Max.	20 % ~ 80 %微分輸出峰-峰值
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.		在電源電壓最低時，所需時間為 0 秒
相位抖動	tPJ	0.6 ps Max. *1		抵消頻率 : 12 kHz ~ 20 MHz
頻率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25 °C , 第一年 VCC = 2.5 V or 3.3V

差分晶振的不同輸出意義:HCSL代表"高速電流轉向邏輯".LVDS代表"低壓差分信號".LV-PECL輸出代表"低壓正發(fā)射極耦合邏輯".愛普生晶振通過使用PLL技術和AT晶體單元來實現(xiàn)寬的頻率范圍,參數(shù)表中我們看到了愛普生差分晶振的頻率可達73.5MHz~700MHz高頻率點,儲存溫度在-40℃~125℃,使用性能穩(wěn)定.

愛普生差分晶振編碼

愛普生晶振編碼	差分晶振型號	頻率	封裝尺寸	輸出	溫度范圍	偏差
X1G0042810001	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810004	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810005	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810011	SG7050VAN差分晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810014	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810020	SG7050VAN差分晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810024	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810031	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810033	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810038	SG7050VAN差分晶振	700.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810039	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810044	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810049	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810050	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810052	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810061	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810062	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810063	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810068	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810069	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810071	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm

差分晶振常見的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三種封裝尺寸,文中所列舉的是愛普生5x7體積的部分差分晶振編碼.均為較高的頻率點,為輸出LVDS方式,電源電壓范圍2.5V/3.3V,振蕩啟動時間在電源電壓最低時,所需時間為0秒.愛普生差分晶振具有性能強,精密穩(wěn)定,低電壓的特征,普遍用于對于高速網(wǎng)絡要求的應用.

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