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了解晶體振蕩器的運(yùn)行條件注意事項
石英晶振晶體,貼片晶振,晶體振蕩器被設(shè)計為具有耐高溫,耐惡劣環(huán)境的一種元件,但是在運(yùn)輸,儲存以及生產(chǎn)過程中還是要小心,注意避免晶振晶體的惡化,甚至內(nèi)置晶體破壞零件.下面億金電子給大家介紹了解晶體振蕩器的運(yùn)行條件注意事項.
①電源電壓和極性
晶體振蕩器應(yīng)在規(guī)定的電源電壓和電壓范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表中給出的公差.電源電壓以外的操作規(guī)范可能導(dǎo)致晶體振蕩器的間歇或完全失效.
極性反接可能會導(dǎo)致設(shè)備電氣不可逆損壞（死機(jī)）和/或機(jī)械地（燃燒）.因此,請在確認(rèn)正確的電壓極性之前給有源晶體振蕩器設(shè)備加電.
②電源電壓限制
在任何情況下,請向有源晶體振蕩器施加電源電壓電平超過絕對最大值,通常最大為7VDC.對于大多數(shù)（H）CMOSIC.另請注意,電源電壓低于額定電壓的70~80％可能會導(dǎo)致電壓下降振蕩器運(yùn)行不穩(wěn)定.
為獲得最佳性能和穩(wěn)定性,振蕩器可由單獨穩(wěn)定的電源供電電壓軌,以避免數(shù)字中通常存在的電源電壓噪聲干擾電路.
③石英晶體振蕩器啟動
晶體振蕩器由晶體空白和半導(dǎo)體芯片組成,它集成了一個晶體驅(qū)動電路和時鐘輸出驅(qū)動級.半導(dǎo)體芯片本身沒有包含復(fù)雜的復(fù)位邏輯或電源電壓監(jiān)控電路,用于控制振蕩器輸出信號.
為獲得最佳系統(tǒng)穩(wěn)定性,我們建議使用外部電源電壓監(jiān)控在電源電壓充足之前,防止后續(xù)電路開始工作的電路上電,振蕩器輸出頻率完全穩(wěn)定.請參考振蕩器啟動時間,在我們的振蕩器數(shù)據(jù)表中定義.
④旁路電容器
請注意,由于SMD振蕩器尺寸較小,因此沒有旁路電容內(nèi)置.我們強(qiáng)烈建議在附近放置一個~0.01μF的外部旁路電容VDC端子/焊盤與GND端子/焊盤的低阻抗連接.旁路電容器能夠在輸出信號轉(zhuǎn)換時緩沖石英晶體振蕩器的動態(tài)電源電流,它還可以幫助減少通過電源電壓軌的RF傳輸.
⑤負(fù)載電容
低于指定最大值的任何容性負(fù)載.負(fù)載電容可以連接到振蕩器的輸出.應(yīng)保持從振蕩器輸出到負(fù)載（下一個IC）的PCB走線短路以避免額外的雜散電容和輸出波形的失真.
⑥電源電流
晶體振蕩器的電流消耗取決于實際的負(fù)載電容連接到振蕩器的輸出級.實際容性負(fù)載越小,電流消耗越少.如果設(shè)計用于30pF負(fù)載的振蕩器連接到15pF的實際負(fù)載,則電流消耗與振蕩器的電流消耗大致相同專為15pF設(shè)計.
⑦方向（Pin1標(biāo)記）
對于石英晶體振蕩器,引腳1通常由蓋子上標(biāo)記的點和/或傾斜處標(biāo)識相應(yīng)的SMD墊.請確保將振蕩器正確安裝到PCB上取向.錯誤的方向可能導(dǎo)致反向電源電壓極性,這可能導(dǎo)致該單位不可逆轉(zhuǎn)地受損.
⑧PCB布局
我們建議將有源石英晶振,晶體振蕩器連接布置在芯片或芯片的短距離處接收器電路的時鐘輸入.最好避免長跡線和近旁信號跡線會干擾晶體時鐘信號.長信號走線引起的不希望的雜散電容和電感會產(chǎn)生很大的影響振蕩器單元的輸出阻抗應(yīng)最小化.
⑨建議的焊接腳布局
請注意,我們提供了焊接腳位布局建議供您參考.請使用它們作為設(shè)計建議并應(yīng)用貴公司的設(shè)計規(guī)則.標(biāo)識為NC的引腳應(yīng)保持不連接狀態(tài).
⑩工作溫度
所有晶體振蕩器應(yīng)在溫度限制范圍內(nèi)工作目錄或數(shù)據(jù)表.
⑾晶體振蕩器測試和測試電路
示波器探頭阻抗應(yīng)大于1MOhm,探頭電容較低.施加到有源石英晶體振蕩器的負(fù)載應(yīng)采用探頭電容和測試夾具雜散電容考慮到了.所有引線長度應(yīng)盡可能短,特別是地線.我們建議使用寬帶低電容有源探頭來表現(xiàn)振蕩器輸出信號.
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