全球咨詢熱線
手機(jī)端
將Statek的CX-1V晶體(200-240kHz)與Microchip晶體的PIC16C73A一起使用,TC-32.768MBD-T,CX-1V晶體在200-240kHz頻率范圍內(nèi)的典型運動電阻為3kW.在4-6伏的電源電壓下,電路應(yīng)在0.5秒內(nèi)開始振蕩,驅(qū)動電平(晶體電流)約為12mA(RMS),電路的有效負(fù)載電容約為4.5pF.
在將Statek的200-240kHz范圍內(nèi)的CX-1V晶體與Microchip Technology的PIC16C73A微控制器（在XT模式下）一起使用時，我們建議使用組件值。Microchip Technology的數(shù)據(jù)表DS30390E的表14-2中推薦的大電容(47-68pF)會導(dǎo)致PIC16C73A來過載Statek晶振。
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
推薦的外部添加元件值
除了晶體振蕩器的性能外，PIC16C73A的振蕩器部分最多需要三個組件。例如，從晶體焊盤到地的雜散電容會增加C1和C2提供的電容。此外，盡量減少OSC1和OSC2之間的雜散電容以及板上晶體安裝焊盤之間的雜散電容，因為這些可能會將增益要求提高到系統(tǒng)不會振蕩的程度。
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
運行條件
除上述建議外，我們建議讀者參閱Microchip Technology的數(shù)據(jù)手冊DS30390E，了解適當(dāng)?shù)墓ぷ鳁l件。
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
典型操作
CX-1V晶體在200-240kHz頻率范圍內(nèi)的典型運動電阻為3kW。在4-6伏的電源電壓下，電路應(yīng)在0.5秒內(nèi)開始振蕩。驅(qū)動電平（晶體電流）約為12mA(RMS)，電路的有效負(fù)載電容約為4.5pF。
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
CMOS Pierce振蕩器電路是眾所周知的，并因其出色的頻率穩(wěn)定性和可使用的廣泛頻率范圍而被廣泛使用。它們非常適合小型、低電流和低電壓電池供電的便攜式產(chǎn)品，尤其是低頻應(yīng)用。使用小型石英晶振進(jìn)行設(shè)計時，必須仔細(xì)考慮頻率、增益和晶體驅(qū)動電平。在此論文中，典型晶體控制皮爾斯振蕩器電路設(shè)計中使用的設(shè)計方程來自閉環(huán)和相位分析。頻率、增益和晶體驅(qū)動電流方程是從這種方法推導(dǎo)出來的。
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
基本的石英晶體CMOS Pierce振蕩器電路配置，晶體振蕩器電路由放大部分和反饋網(wǎng)絡(luò)組成。
a)環(huán)路增益必須等于或大于1，并且
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
b)環(huán)路周圍的相移必須等于2π的整數(shù)倍。
CMOS反相器提供放大，兩個電容CD和CG以及晶體作為反饋網(wǎng)絡(luò)工作。RA穩(wěn)定放大器的輸出電壓，用于降低晶體驅(qū)動電平。
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TC-65.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TC-65.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
億金公眾號
億金微信號
