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各大品牌1008晶振型號對比
小型貼片晶振成了當(dāng)下市場的主流,從過去的大體積晶振到現(xiàn)在3225貼片晶振,2520貼片晶振,2016貼片晶振,1008貼片晶振,不僅代表了晶振的改革,同時見證了各個領(lǐng)域科技產(chǎn)品的更新?lián)Q代.石英晶體,SMD晶振,石英晶體振蕩器在智能產(chǎn)品中都是不可缺少的重要電子元件,為電路提供信號頻率,實現(xiàn)正常工作.
1008晶振是目前世界上體積最小的貼片晶振,為了順應(yīng)時代發(fā)展,滿足小型化產(chǎn)品需求,各大品牌相繼推出自家的1008貼片晶振.億金電子代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振等國際知名品牌,下面給大家介紹各大品牌1008晶振型號對比,獲取更多相關(guān)信息也可聯(lián)系億金電子0755-27876565.
京瓷CX1008SB晶振
京瓷與大阪大學(xué)副教授山村和也共同研發(fā)的超高精度加工技術(shù)（等離子體CVM技術(shù)）,成功減小了頻率偏差.該加工技術(shù)利用了等離子體中的中性自由基與加工物表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的特性,可以對水晶的厚度及表面狀態(tài)等進行高精度控制.此外,京瓷晶振高精度半導(dǎo)體工藝技術(shù),提高了水晶元件石英晶振的尺寸精度,有效解決了串聯(lián)電阻值偏差較大的問題.通過這些技術(shù),可以提高產(chǎn)品生產(chǎn)率,實現(xiàn)產(chǎn)品供給的穩(wěn)定性.
京瓷CX1008貼片晶振,尺寸大小在1.0x0.8x0.3mm,精小但絲毫不影響到精度讓人不得不感嘆生產(chǎn)工藝的強大.CX1008晶振頻率容許誤差也就是我們經(jīng)常所說的精度,精度可以達到10PPM的精確度,電阻控制在60Ω,具有較強的抗振性能,在溫度高達-30℃～+85℃之間頻率誤差保持在10PPM的高精度完全是沒有問題的,具有較高的耐熱性,耐惡劣環(huán)境等特點.
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名稱 |
CX1008 |
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用途 |
智能手機、穿戴式終端 |
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外形尺寸 |
1.0X0.8㎜ |
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產(chǎn)品高度 |
0.30mm |
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頻率容許誤差 |
±10ppm |
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頻率溫度特性 |
±10ppm（-30℃～+85℃） |
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CI值（串聯(lián)電阻） |
60ΩMAX（37.4MHz） |
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生產(chǎn)基地 |
京瓷晶體元件株式會社滋賀八日市事業(yè)所 |
日本電波NX1008AA晶振
NDK最新推出的石英晶體諧振器——NX1008AA晶振,可謂世界級小體積SMD晶振,尺寸僅有1.0x0.8x0.3mm,具有超小型,厚度超薄等特點,可對應(yīng)高度Max.0.27mm,頻率選用范圍廣.
NX1008AA晶振頻率穩(wěn)定,低損耗,具有高信賴性,最適用于移動通信,短距離無線通信,消費類電子用,超小型Wireless LAN、Bluetooth.（短距離無線用途）NX1008AA石英晶振采用編帶盤裝,可對應(yīng)回流焊,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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額定頻率范圍(MHz) |
32to80 |
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尺寸大小(L×W×H:mm) |
1.0×0.8×0.30 |
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泛波次數(shù) |
Fundamental |
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頻率偏差(25±3℃) |
±10×10-6 |
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頻率溫度特性(以25℃為基準) |
±10×10-6(32to60MHz) |
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工作溫度范圍(*1)(℃) |
-30to+85 |
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儲存溫度范圍(℃) |
-40to+85 |
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等效串聯(lián)阻抗(額定頻率：以上～未滿) |
Max.150Ω(32to37.4MHz) |
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驅(qū)動功率 |
10µW |
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負載電容 |
8pF |
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規(guī)格料號 |
STD-CIY-1 |
臺灣晶技8A晶振
尺寸僅有1.0x0.8x0.3mm,采用4腳封裝,可通過高速自動貼片機焊接,常用頻點有37.4M/38.4M/40M/48M等.在產(chǎn)品中使用精度高達10PPM,20PPM,工作溫度為-30℃~85℃,保存溫度范圍在-40℃~85℃.具有環(huán)保,節(jié)能,高精度,高效,低衰減等特性.主要為各類小型化電子產(chǎn)品,如智能手機,智能手表,智能可穿戴設(shè)備等.
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晶振規(guī)格 |
單位 |
8A晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準頻率 |
f_nom |
37.4MHZ~60MHZ |
標(biāo)準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-30°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C～+85°C |
標(biāo)準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μWMax. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_—l |
±50×10-6(標(biāo)準), |
+25°C對于超出標(biāo)準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30×10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF,10PF |
超出標(biāo)準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C,DL=100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
DX1008JS石英晶體諧振器
日本大真空的DS1008JS晶振和DX1008JS晶振
KDS晶振的DS1008JS晶振,DX1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器采用精細密封技術(shù)是鍵合技術(shù),KDS晶振集團獨特的生產(chǎn)技術(shù),由晶體和WLP（晶圓級封裝）的三個層的鍵合晶片,常規(guī)的結(jié)構(gòu)等效的氣密性它被實現(xiàn)了.DS1008JS有源晶振,DX1008JS無源晶振均由保持單元,而無需使用導(dǎo)電性粘接劑的結(jié)構(gòu)允許所述振動部的整體結(jié)構(gòu),解決了由于體積改小導(dǎo)致的精度不穩(wěn)定,以及導(dǎo)電粘合劑的安裝空間問題,實現(xiàn)了在耐沖擊性的改善.另一方面,DS1008JS晶振,DX1008JS晶振采用WLP使生產(chǎn)過程中的處理變得更加容易.
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型號名稱 |
DX1008JS晶振 |
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頻率范圍 |
48MHz |
52MHz |
80MHz |
96MHz |
120MHz |
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泛音順序 |
根本 |
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負載能力 |
8pF,10pF,12pF |
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激勵程度 |
10μW（最大100μW） |
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頻率容差偏差 |
±20×10-6（25°C時） |
±100×10-6（25°C時） |
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串聯(lián)電阻 |
最大100Ω |
最大60Ω |
最大40Ω |
||
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頻率溫度特性 |
±30×10-6/-30至+85°C（參考溫度至25°C） |
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儲存溫度范圍 |
-40至+85°C |
||||
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包裝單位（1） |
3000個/卷（φ180） |
||||
DS1008JS石英晶體振蕩器
DS1008JS晶振
一個符號
標(biāo)準值
條件
分鐘.
（典型值）.
最大.
單位
輸出頻率范圍
FO
1
-
100
兆赫
電源電壓
VCC
+1.6
-
+3.6
V
頻率允許偏差
f_tol
-100
-
+100
×10-6
-40至+125°C
-20至+70°C
-50
-
+50
-30
-
+30
-30至+85°C
-20
-
+20
-20
-
+20
-20至+70°C
當(dāng)前消費
我CC
-
-
1.8
毫安
fo=24MHz,VCC=+1.8V,無負載
待機電流（＃1引腳“L”）
I_STD
-
-
0.01
毫安
輸出負載
L_CMOS
-
-
15
pF的
波形對稱
SYM
45
50
55
％
在50％VCC下,fo<60MHz
上升時間,下降時間
tr,tf
-
-
五
NS
10至90％VCC電平
輸出啟用時間
tPZL
-
-
2
MS
輸出禁用時間
tPLZ
-
-
200
NS
OE引腳1電平輸入電壓
VIH
VCC×0.8
-
-
V
OE引腳0電平輸入電壓
VIL
-
-
VCC×0.2
V
包裝單位（1）
3000pcs./reel(φ180）
（包括室溫偏差）
（標(biāo)準工作溫度范圍）
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