愛普生最新推出FA1210AN超薄小MHZ晶體單元

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2019-04-19 09:07:56【大中小】

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日本愛普生晶振品牌自成立以來一直緊跟時代發(fā)展從未讓人失望,從32.768K音叉晶體到如今高精密差分晶體振蕩器,可編程晶振,愛普生已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)爭相相仿的一個榜樣.這次愛普生集團又給我們帶來新的產(chǎn)品,FA1210AN超薄小MHZ晶體單元,世界級小型SMD晶振.

FA1210AN晶振產(chǎn)品

愛普生晶振最新推出FA1210AN超薄小MHZ晶體單元尺寸僅有1.2x1.0x0.3mm大小,超薄的厚度.標稱頻率32.000MHz和37.400MHz,諧波次數(shù)<:基頻,符合消費級以及工業(yè)級要求,溫度可達-40℃~+85℃范圍,儲存溫度高達-40℃~+125℃.

FA1210AN晶振參數(shù)表

項目	符號	愛普生晶振規(guī)格說明	條件
項目	符號	用于RF參考	條件
額定頻率范圍	f_nom	32.000MHz,37.400MHz	基頻
儲存溫度范圍	T_stg	-40°C～+125°C	裸存
工作溫度范圍	T_use	-40°C～+85°C	For the out of standard specifications,please contact us for inquiries.
激勵功率	D_L	100μWMax.	推薦:1μW～100μW
頻率公差（標準）	f_tol	±10x10^-6	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.
頻率溫度特征（標準）	f_tem	±12x10^-6	-20°C～+75°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.
負載電容	C_L	6pF～∞	可指定.
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	100ohmsMax.(32.000MHz) 60ohmsMax.(37.400MHz)	-20°C～+75°C
頻率老化	f_age	±1x10^-6/年Max.	+25°C,第一年

愛普生晶振編碼命名方式

愛普生最新推出FA1210AN超薄小MHZ晶體單元

愛普生晶體向來具有小型,高精度,低功耗特點,此款FA1210AN晶振頻率老化在±1x10-6/年Max.可為不同領(lǐng)域產(chǎn)品提供6PF以上的負載電容,頻率偏差±10x10-6高穩(wěn)定性.適用于移動電話,無線局域網(wǎng),ISM頻段電臺廣播,MPU時鐘,以及高端智能數(shù)碼電子產(chǎn)品等.

EPSON晶振集團擁有業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)技術(shù),先進的設(shè)備,始終不斷發(fā)展前進,為更多更復(fù)雜的應(yīng)用提供高精密石英貼片晶振.產(chǎn)品均采用優(yōu)異晶片,環(huán)保材料,并且獲得ISO9001國際質(zhì)量認證以及ISO14001國際環(huán)保認證.億金電子代理EPSON晶振0755-27876565,提供各種封裝尺寸,價格優(yōu)勢,產(chǎn)品保證,更多愛普生產(chǎn)品信息以及晶振資料請聯(lián)系我們獲取.